[發(fā)明專利]薄膜晶體管元件及顯示面板的像素結(jié)構(gòu)與驅(qū)動電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110368902.7 | 申請日： | 2011-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN102394247A | 公開（公告）日： | 2012-03-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張哲嘉;劉圣超;蔡五柳;魏全生;林志宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;王穎 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜晶體管 元件 顯示 面板 像素 結(jié)構(gòu) 驅(qū)動 電路 | ||
1.一種薄膜晶體管元件，其特征在于，設(shè)置于一基板上，該薄膜晶體管元件包括：
一柵極；
一半導(dǎo)體通道層；
一柵極絕緣層，位于該柵極與該半導(dǎo)體通道層之間；
一源極與一漏極，分別位于該半導(dǎo)體通道層的兩相對側(cè)并分別與該半導(dǎo)體通道層部分重疊；
一電容電極，至少與該柵極部分重疊；以及
一電容介電層，位于該電容電極與該柵極之間，其中該電容電極、該柵極與該電容介電層形成一電容元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，其中該電容介電層位于該電容電極之上，該柵極位于該電容介電層之上，該柵極絕緣層位于該柵極之上，該半導(dǎo)體通道層位于該柵極絕緣層上，且該源極與該漏極至少位于該半導(dǎo)體通道層之上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，其中該半導(dǎo)體通道層位于該基板、該源極與該漏極之上，該柵極絕緣層位于該半導(dǎo)體通道層之上，該柵極位于該柵極絕緣層之上，該電容介電層位于該柵極之上，且該電容電極位于該電容介電層之上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，其中該源極與該漏極位于該半導(dǎo)體通道層之上，該柵極絕緣層位于該半導(dǎo)體通道層、該源極與該漏極之上，該柵極位于該柵極絕緣層之上，該電容介電層位于該柵極之上，且該電容電極位于該電容介電層之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該電容電極大體上對應(yīng)于該柵極。
6.一種顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)置于一基板上，該顯示面板的該像素結(jié)構(gòu)包括：一薄膜晶體管元件以及一像素電極；
該薄膜晶體管元件，包括：
一柵極；
一半導(dǎo)體通道層；
一柵極絕緣層，位于該柵極與該半導(dǎo)體通道層之間；
一源極與一漏極，分別位于該半導(dǎo)體通道層的兩相對側(cè)并分別與該半導(dǎo)體通道層部分重疊；
一電容電極，至少與該柵極部分重疊；以及
一電容介電層，位于該電容電極與該柵極之間；以及
該像素電極，分別與該漏極與該電容電極電性連接；
其中該電容電極、該柵極與該電容介電層形成一儲存電容元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該電容介電層位于該電容電極之上，該柵極位于該電容介電層之上，該柵極絕緣層位于該柵極之上，該半導(dǎo)體通道層位于該柵極絕緣層上，且該源極與該漏極至少位于該半導(dǎo)體通道層之上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該半導(dǎo)體通道層位于該基板、該源極與該漏極之上，該柵極絕緣層位于該半導(dǎo)體通道層之上，該柵極位于該柵極絕緣層之上，該電容介電層位于該柵極之上，且該電容電極位于該電容介電層之上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該源極與該漏極位于該半導(dǎo)體通道層之上，該柵極絕緣層位于該半導(dǎo)體通道層、該源極與該漏極之上，該柵極位于該柵極絕緣層之上，該電容介電層位于該柵極之上，且該電容電極位于該電容介電層之上。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該電容電極大體上對應(yīng)于該柵極。
11.一種顯示面板的驅(qū)動電路，其特征在于，包括：
多個驅(qū)動單元，各該驅(qū)動單元包括：一薄膜晶體管元件以及一電容元件；
該薄膜晶體管元件，包括：
一柵極；
一半導(dǎo)體通道層；
一柵極絕緣層，位于該柵極與該半導(dǎo)體通道層之間；以及
一源極與一漏極，分別位于該半導(dǎo)體通道層的兩相對側(cè)并分別與該半導(dǎo)體通道層部分重疊；以及
該電容元件，包括：
一電容電極，至少與該薄膜晶體管元件的該柵極部分重疊；
一電容介電層，位于該電容電極與該柵極之間；以及
該薄膜晶體管元件的該柵極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示面板的驅(qū)動電路，其特征在于，其中該顯示面板的該驅(qū)動電路包括一柵極驅(qū)動電路，各該驅(qū)動單元包括一移位寄存電路單元，且各該驅(qū)動單元分別與一對應(yīng)的柵極線電性連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
