[發明專利]具有熒光粉的太陽能電池與其制造方法無效
申請號: | 201110368737.5 | 申請日: | 2011-11-17 |
公開(公告)號: | CN102683466A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
發明(設計)人: | 王崇宇;陳怡坊 | 申請(專利權)人: | 王崇宇;陳怡坊 |
主分類號: | H01L31/055 | 分類號: | H01L31/055;H01L31/18;C09K11/80;C09K11/79;C09K11/81 |
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搜索關鍵詞: | 具有 熒光粉 太陽能電池 與其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種太陽能電池,特別是涉及一種具有熒光粉的太陽能電池與其制造方法。
背景技術
在能源危機與環保問題的雙重訴求下,開發能自產的綠色能源,已成為人類的最重要課題,而太陽能同時具有普遍性、自產性及環保性,為最佳的再生能源之一。太陽能電池直接將太陽能轉換成電能,其運作不產生毒性物質、溫室氣體及噪音,其操作相當安全,亦僅需低廉的維護成本,況且太陽能為取之不盡、用之不竭的理想再生能源,發展太陽能電池應用的相關材料及技術,為解決現今能源及環保問題的最佳方法及策略。
目前太陽能電池的發展大致上分為兩大類,第一類是以硅為基礎材料,第二類就是非硅基礎材料,第二類目前開發比較多的為:化合物半導體(如CdTe)、染料敏化(DSSC)或有機電池等。現階段的太陽能電池幾乎以第一類為主要發展,因為以硅為基礎材料的太陽能電池的能量轉換效率(conversion?efficiency)較高,其又可以分為:單晶硅、多晶硅、非晶硅、硅薄膜等。目前的太陽能電池市場以單晶及多晶硅的太陽能電池為主,目前市售的單晶硅轉換效率約在20%,至于多晶硅的轉換效率約在17%,這些都離理想目標的轉換效率甚遠,因為實驗室理想的轉換效率分別可達30~40%,該如何提升轉換效率就是一個很重要的發展目標。
在2002年由Trupke等人提出了一個第三代太陽能電池提升效率探討(非專利文獻1),其中提到了一項利用上、下轉換熒光粉來提升轉換效率,如附圖1所示。這是因為以硅為基礎材料的太陽能電池,受限于硅元素本身的能階大小所致,所以只能吸收太陽光中400至1000nm的光來進行光電轉換,但以一般的太陽光的頻譜來看,太陽光涵蓋的范圍從紫外光(UV)到紅外光(IR),所以硅材料的吸收光范圍明顯比較狹小。因此,如果可以增加紫外光及紅外光這兩大區塊的利用,應該可以提升很可觀的轉換效率。
一般而言,頻譜或光譜轉換可搭配適當熒光材料,并以下列三種方式實行:上轉換(up?conversion,結構如附圖1(a)所示)、下轉換(down?conversion,結構如附圖1(b)所示及頻譜集中轉換(spectral?concentration)。太陽光譜上轉換的原理,主要是將能量小于太陽能電池材料能隙的入射光子,轉變為能量大于能隙的光子,然后經由反射鏡反射產生高能光子,供太陽能電池再次吸收而產生電子/空穴對(electron-hole?pair),其最高理論效率為47.6%。而太陽光譜下轉換的原理是將下轉換熒光材料(down?converter)制作于太陽能電池表面上,利用能量大于太陽能電池材料能隙二倍以上的一個入射光子,轉變為能量大于能隙的兩個光子,后供太陽能電池再次吸收而產生兩組電子/空穴對,其最高理論效率為30.9%。第三種選擇則為頻譜集中轉換,其原理主要整合上/下轉換兩者的優點,將入射太陽光的光譜轉換集中于稍大于太陽能電池材料能隙的附近,則能量小于能隙的入射光子被上轉換,亦即能量小于能隙的入射光子被上轉換為高能光子,而能量高于二倍能隙的入射光子被下轉換為低能光子,最終可以有效提升轉換效率,其最高理論效率則決定于上/下轉換材料的種類與兩種結構的耦合。
目前現有技術揭示可用在太陽能電池的上轉換熒光粉,常見的有NaYF4:Er(非專利文獻2)及NaYF4:Yb,Er(非專利文獻3),其可提升太陽能電池的量子效率(quantum?efficiency)。現有技術揭示可用在太陽能電池的下轉換熒光粉,如Y2O3:Eu3+或Y2O2S:Eu3+(非專利文獻4),其利用與高分子(PE及TPP)結合,涂布在實驗室型小尺寸的太陽能電池上。
美國專利2007/0295383A1,揭露將一系列能吸收280至460nm波長(Sr,Ba,Eu)2SiO4Fx的納米與微米級熒光粉,整合于硅太陽電池以有效提升其轉換效率。但上述現有技術并未提供可明顯有效提升轉換效率的數據,且均只限應用于實驗室型小尺寸的太陽能電池上,缺乏在商業上大量生產應用的可能。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的