[發明專利]具有熒光粉的太陽能電池與其制造方法

無效

• 申請號: 201110368737.5
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN102683466A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 王崇宇;陳怡坊
• 申請（專利權）人: 王崇宇;陳怡坊
• 主分類號: H01L31/055
• 分類號: H01L31/055;H01L31/18;C09K11/80;C09K11/79;C09K11/81
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所 11276
• 代理人: 雒純丹

1.一種具有熒光粉的太陽能電池，包含：

光電轉換層，用于將光能轉換為電能；

熒光粉層，設置于該光電轉換層的至少一側，用于增加光電轉換效率；

該熒光粉是上轉換熒光粉或下轉換熒光粉，該上轉換熒光粉選自X₂Mo₂O₉:X或X₂Mo₂O₉:X，X，該下轉換熒光粉選自JQX(PO₄)₂:X³⁺或JQX(PO₄)₂:X²⁺，X²⁺，其中X代表任一種稀土金屬，J代表鋰、鈉或鉀，而Q代表任一種堿土金屬。

2.如權利要求1所述太陽能電池，其中該上轉換熒光粉為La₂Mo₂O₉:Yb，Er或La₂Mo₂O₉:Yb，Ho。

3.如權利要求1所述太陽能電池，其中該下轉換熒光粉為KCaGd(PO₄)₂:Eu³⁺或KSrGd(PO₄)₂:Eu³⁺。

4.如權利要求1所述太陽能電池，其中該熒光粉層進一步包含BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺，Mn²⁺或(Ba，Sr，Mg)₂SiO₄:Eu²⁺。

5.如權利要求1所述太陽能電池，其中該熒光粉層進一步包含一高分子涂料，其選自PMMA、聚酰胺及硅化合物中一者或其組合。

6.如權利要求1所述太陽能電池，其中該光電轉換層選自P型半導體N型半導體中一者或其組合。

7.如權利要求1所述太陽能電池，其中該光電轉換層系選自多晶硅、單晶硅、非晶硅CdTe中一者或其組合。

8.如權利要求1所述太陽能電池，進一步包含抗反射層，其系設置于該光電轉換層的至少一例、該光電轉換層及該熒光粉層之間或該熒光粉層的至少一側。

9.如權利要求8所述太陽能電池，其中該抗反射層選自氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中一者或其組合。

10.如權利要求1所述太陽能電池，其中該熒光粉層由網版印刷、蒸鍍、濺鍍、涂布或貼合方式所形成。

11.如權利要求10所述太陽能電池，其中形成熒光粉層時，須避免形成于太陽能電池的母線上。

12.如權利要求1所述太陽能電池，其中該熒光粉層的厚度為1至100微米。

13.一種具有熒光粉的太陽能電池的制造方法，其是制造如權利要求1-12中任一項所述的太陽能電池。