[發明專利]利用兩親嵌段共聚物選擇性溶脹成孔制備減反射膜的方法無效
申請號: | 201110367591.2 | 申請日: | 2011-11-18 |
公開(公告)號: | CN102516583A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
發明(設計)人: | 汪勇;童靈 | 申請(專利權)人: | 南京工業大學 |
主分類號: | C08J9/28 | 分類號: | C08J9/28;C08J7/02;C08L53/00 |
代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人: | 郭百濤 |
地址: | 210009 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 利用 兩親嵌段 共聚物 選擇性 溶脹成孔 制備 減反射膜 方法 | ||
1.一種利用兩親嵌段共聚物選擇性溶脹成孔制備減反射膜的方法,其特征在于該方法是將聚苯乙烯和聚2-乙烯基吡啶的嵌段共聚物溶解在有機溶劑中,再旋涂于基底上,使溶劑揮發,在溶劑揮發過程中嵌段共聚物發生微相分離,再將基底浸泡溶脹劑中使聚2-乙烯基吡啶嵌段由于溶劑化作用而發生溶脹,然后再脫除溶脹劑,脫除溶脹劑后,溶脹的聚2-乙烯基吡啶嵌段分子鏈塌陷成孔,從而得到具有減反射效果的多孔減反射薄膜。
2.根據權利要求1所述的利用兩親嵌段共聚物選擇性溶脹成孔制備減反射膜的方法,其特征在于包括以下具體步驟:
(1)將聚苯乙烯和聚2-乙烯基吡啶的嵌段共聚物溶解于有機溶劑中,嵌段共聚物質量分數為0.1~3.0wt%;
(2)將步驟(1)中配制的溶液以旋轉速度1500~8000rpm旋轉涂覆于清潔的基底上,在基底表面形成聚合物薄膜,隨后在30~70℃真空干燥3~15小時使嵌段共聚物發生微相分離;
(3)將步驟(2)中涂有嵌段共聚物薄膜的基底浸泡于60℃溶脹劑中,浸泡0.1~15小時使聚2-乙烯基吡啶嵌段發生溶脹;
(4)最后將步驟(3)浸泡在溶脹劑中涂有聚合物薄膜的基底取出,脫除溶脹劑后,得到具有多孔結構的減反射膜。
3.根據權利要求1或2所述的利用兩親嵌段共聚物選擇性溶脹成孔制備減反射膜的方法,其特征在于所述的有機溶劑為四氫呋喃或氯仿。
4.根據權利要求1或2所述的利用兩親嵌段共聚物選擇性溶脹成孔制備減反射膜的方法,其特征在于所述的基底為玻璃基底。
5.根據權利要求1或2所述的利用兩親嵌段共聚物選擇性溶脹成孔制備減反射膜的方法,其特征在于所述的溶脹劑為無水乙醇。
6.根據權利要求2所述的利用兩親嵌段共聚物選擇性溶脹成孔制備減反射膜的方法,其特征在于所述的脫除溶脹劑方法是用去離子水清洗具有聚合物薄膜的基底,再將基底表面吹干。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南京工業大學,未經南京工業大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110367591.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:閥門的電動關閉裝置
- 下一篇:一種濕壓磁瓦成型用自動卸壓閥