[發明專利]晶體硅太陽能電池選擇性發射極的磷擴散方法

無效

• 申請號: 201110366685.8
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102403203A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 崔鵬超;李華;李文;錢應五
• 申請（專利權）人: 浙江正國太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22
• 代理公司: 杭州金源通匯專利事務所(普通合伙) 33236
• 代理人: 唐迅

技術領域

本發明涉及一種晶體硅太陽能電池選擇性發射極磷擴散方法。

背景技術

當電力、煤炭、石油等不可再生能源頻頻告急，能源問題日益成為制約國際社會經濟發展的瓶頸時，越來越多的國家開始實行“陽光計劃”，開發太陽能資源，尋求經濟發展的新動力。

傳統太陽電池在歐姆接觸和表面復合的矛盾很難緩和，選擇性發射極電池緩和了矛盾，在電極處重摻雜，非電極處淺摻雜。

目前行業內，選擇性發射極的一種方法是制絨，重擴，印刷腐蝕性漿料或化學藥瓶，清洗，刻蝕去磷硅玻璃，PECVD，絲網印刷。恒溫擴散、推進，磷擴散濃度在結的深處的濃度梯度比較小，擴散腐蝕一部分結后，濃度梯度很小，不利于在發射區形成高內建電場，少子的收集量會少。恒溫擴散、推進，磷吸雜有限，正常使用單面擴散只在單面吸雜。

發明內容

本發明的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種吸雜作用強，易于在發射區內形成高內建電場，濃度梯度大的晶體硅太陽能電池選擇性發射極的磷擴散方法。

為了達到上述目的，本發明設計的晶體硅太陽能電池選擇性發射極的磷擴散方法，包括如下步驟：

1)硅片放入擴散爐中，采用雙面擴散，溫度升高到850-950攝氏度；

2)溫度穩定后，通入氮氣流量10-30slm，氧氣0.5-3slm，攜磷源氮氣2-5slm，擴散時間10-20min；

3)降低溫度，溫度下降為750-850攝氏度，過程中與第(2)步流量一致，擴散時間10-20min；

4)停止通攜磷源氮氣，并停止通氧氣，溫度下降為600-700攝氏度，氮氣流量10-30slm，推進時間10-20min。

本發明所得到的晶體硅太陽能電池選擇性發射極的磷擴散方法與現有技術相比具有的優點是：

1、采用雙面擴散，重磷擴散和變溫擴散吸雜作用相對要強，背面吸雜對于太陽電池的電流響應有很好的幫助。

2、降溫吸雜，開始高溫后逐漸降低，增加雜質原子在吸雜區域的分凝，增加吸雜作用。

3、溫度從高到低，低溫推進，可以使濃度梯度做大，便于在發射區形成高的內建電場，無氧推進進一步增加擴散的濃度梯度。

具體實施方式

下面通過實施例對本發明作進一步的描述。

實施例1：

本實施例描述的晶體硅太陽能電池選擇性發射極的磷擴散方法是將待處理硅片，放入擴散爐中進行雙面擴散，溫度上升到900℃，待溫度穩定好，通入氮氣流量20slm，攜磷源氮氣流量4slm，氧氣流量2slm，擴散時間10min。

溫度下降，達到820℃，通氣流量不變，繼續擴散時間10min。

最后待程溫度下降到700℃，停止通攜磷源氮氣，并停止通氧氣，氮氣流量20s?lm，推進10min。