[發明專利]晶體硅太陽能電池選擇性發射極的磷擴散方法無效
| 申請號： | 201110366685.8 | 申請日： | 2011-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN102403203A | 公開（公告）日： | 2012-04-04 |
| 發明（設計）人： | 崔鵬超;李華;李文;錢應五 | 申請（專利權）人： | 浙江正國太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/22 | 分類號： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 杭州金源通匯專利事務所(普通合伙) 33236 | 代理人： | 唐迅 |
| 地址： | 314500 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體 太陽能電池 選擇性 發射極 擴散 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體硅太陽能電池選擇性發射極的磷擴散方法，其特征在于包括如下步驟：
1)硅片放入擴散爐中，采用雙面擴散，溫度升高到850-950攝氏度；
2)溫度穩定后，通入氮氣流量10-30slm，氧氣0.5-3slm，攜磷源氮氣2-5slm，擴散時間10-20min；
3)降低溫度，溫度下降為750-850攝氏度，過程中與第(2)步流量一致，擴散時間10-20min；
4)停止通攜磷源氮氣，并停止通氧氣，溫度下降為600-700攝氏度，氮氣流量10-30slm，推進時間10-20min。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
