[發明專利]一種顯示裝置、薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201110366515.X
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN102629585A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 寧策;張學輝;楊靜
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;趙愛軍

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種顯示裝置、薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。由于非晶硅(a-Si)易于在低溫下大面積制備，技術成熟，成為在TFT-LCD中最廣泛使用的有源層材料。但非晶硅材料帶隙只有1.7V，對可見光不透明，并且在可見光范圍內具有光敏性，需要增加黑矩陣來阻擋光線，這增加了TFT-LCD的工藝復雜性，提高了成本，降低了可靠性和開口率。

另外，隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅動電路的頻率在不斷提高，由于非晶硅薄膜晶體管的遷移率一般在0.5cm²/VS左右，而液晶顯示器尺寸超過80in時，驅動頻率超過120Hz，需要1cm²/VS以上的遷移率，現有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足需求。

氧化物半導體薄膜晶體管以其諸多優勢受到研究人員的青睞，最近幾年發展迅速。它遷移率高，均一性好，透明，可以更好地滿足大尺寸液晶顯示器和OLED的需求。但現有氧化物半導體薄膜晶體管，利用底柵型至少需要四次構圖工藝完成，并且需要阻擋層(ESL)及保護層(PVX)多層保護才能保證薄膜晶體性能的穩定，其工藝復雜，制造成本高。

發明內容

本發明的目的是提供一種顯示裝置、薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法，采用三次構圖工藝實現陣列基板的制造，從而縮短生產時間，提高生產效率，降低生產成本。

為了實現上述目的，本發明提供一種陣列基板的制造方法，包括：

步驟A、形成源電極、漏電極、數據線和像素電極的圖形；

步驟B、形成有源層和柵絕緣層，以及用于數據線與外部電路連接的過孔；

步驟C、形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，或者，形成柵電極、柵線和公共電極的圖形。

上述的制造方法，其中：

所述步驟A包括：在基板上形成第一層透明導電薄膜，通過構圖工藝形成源電極、漏電極、數據線和像素電極的圖形；

所述步驟B包括：形成有源層和柵絕緣層，通過構圖工藝形成用于數據線與外部電路連接的過孔；

所述步驟C包括：形成第二層透明導電薄膜，通過構圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，或者，通過構圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極的圖形。

上述的制造方法，其中，所述通過構圖工藝形成源電極、漏電極、數據線和像素電極的圖形，包括：

在第一層透明導電薄膜上形成一層光刻膠；

采用灰色調或半色調掩模板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域、光刻膠部分保留區域和光刻膠保留區域；

進行顯影處理；

刻蝕掉光刻膠未保留區域的第一層透明導電薄膜，形成源電極、漏電極和數據線的圖形；

通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區域的光刻膠，保留光刻膠保留區域的光刻膠；

對光刻膠部分保留區域的第一層透明導電薄膜進行刻蝕，使得該部分的第一層透明導電薄膜變薄，形成像素電極的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

上述的制造方法，其中，所述通過構圖工藝形成用于數據線與外部電路連接的過孔，包括：

在柵絕緣層上形成一層光刻膠；

采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區域和光刻膠未保留區域；

進行顯影處理；

刻蝕掉光刻膠未保留區域的柵絕緣層和有源層，形成過孔的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

上述的制造方法，其中，所述通過構圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，包括：

在第二層透明導電薄膜上形成一層光刻膠；

采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區域和光刻膠未保留區域；

進行顯影處理；

刻蝕掉光刻膠未保留區域的第二層透明導電薄膜，形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

上述的制造方法，其中，所述通過構圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極的圖形，包括：

在第二層透明導電薄膜上形成一層光刻膠；

采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區域和光刻膠未保留區域；

進行顯影處理；

刻蝕掉光刻膠未保留區域的第二層透明導電薄膜，形成柵電極、柵線和公共電極的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

上述的制造方法，其中，所述公共電極為狹縫狀。