[發明專利]一種顯示裝置、薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201110366515.X
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN102629585A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 寧策;張學輝;楊靜
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;趙愛軍

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步驟A、形成源電極、漏電極、數據線和像素電極的圖形；

步驟B、形成有源層和柵絕緣層，以及用于數據線與外部電路連接的過孔；

步驟C、形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，或者，形成柵電極、柵線和公共電極的圖形。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述步驟A包括：在基板上形成第一層透明導電薄膜，通過構圖工藝形成源電極、漏電極、數據線和像素電極的圖形；

所述步驟B包括：形成有源層和柵絕緣層，通過構圖工藝形成用于數據線與外部電路連接的過孔；

所述步驟C包括：形成第二層透明導電薄膜，通過構圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，或者，通過構圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極的圖形。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通過構圖工藝形成源電極、漏電極、數據線和像素電極的圖形，包括：

在第一層透明導電薄膜上形成一層光刻膠；

采用灰色調或半色調掩模板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域、光刻膠部分保留區域和光刻膠保留區域；

進行顯影處理；

刻蝕掉光刻膠未保留區域的第一層透明導電薄膜，形成源電極、漏電極和數據線的圖形；

通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區域的光刻膠，保留光刻膠保留區域的光刻膠；

對光刻膠部分保留區域的第一層透明導電薄膜進行刻蝕，使得該部分的第一層透明導電薄膜變薄，形成像素電極的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

4.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通過構圖工藝形成用于數據線與外部電路連接的過孔，包括：

在柵絕緣層上形成一層光刻膠；

采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區域和光刻膠未保留區域；

進行顯影處理；

刻蝕掉光刻膠未保留區域的柵絕緣層和有源層，形成過孔的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

5.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通過構圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，包括：

在第二層透明導電薄膜上形成一層光刻膠；

采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區域和光刻膠未保留區域；

進行顯影處理；

刻蝕掉光刻膠未保留區域的第二層透明導電薄膜，形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

6.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通過構圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極的圖形，包括：

在第二層透明導電薄膜上形成一層光刻膠；

采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區域和光刻膠未保留區域；

進行顯影處理；

刻蝕掉光刻膠未保留區域的第二層透明導電薄膜，形成柵電極、柵線和公共電極的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述公共電極為狹縫狀。

8.如權利要求1至7中任一項所述的制造方法，其特征在于：

所述有源層的材料為氧化物。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

透明導電薄膜，形成在基板上，作為源電極與漏電極，所述源電極和所述漏電極之間形成有溝道區；

氧化物作為有源層，形成在源電極、漏電極和溝道區上；

依次形成在有源層上的柵絕緣層和柵電極，所述柵電極的材料為透明導電薄膜。

10.一種陣列基板，其特征在于，包括：

形成在基板上的源電極、漏電極、數據線和像素電極，所述源電極和所述漏電極之間形成有溝道區，所述漏電極和所述像素電極電性連接，所述數據線通過過孔與外部電路連接，所述像素電極的形狀覆蓋整個像素區；

形成在源電極、漏電極、數據線和像素電極上的有源層；

形成在有源層上的柵絕緣層；

形成在柵絕緣層上的柵電極、柵線和公共電極線，或者，形成在柵絕緣層上的柵電極、柵線和公共電極，所述公共電極為狹縫狀。

11.如權利要求10所述的陣列基板，其特征在于：

所述有源層的材料為氧化物。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求10或11所述的陣列基板。