[發(fā)明專利]雙工器有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110366224.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-17 |
公開(公告)號(hào): | CN102571030A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 堤潤;巖城匡郁;中村浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 太陽誘電株式會(huì)社 |
主分類號(hào): | H03H9/64 | 分類號(hào): | H03H9/64 |
代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 雙工器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的特定方面涉及雙工器。
背景技術(shù)
以蜂窩電話為代表的移動(dòng)通信終端被廣泛使用。近年來,在終端的多頻帶取得進(jìn)展的同時(shí)要求縮小終端的尺寸。為此,還非常需要縮小在終端中采用的雙工器的尺寸。然而,縮小雙工器的尺寸可能使發(fā)射端子和接收端子之間的隔離劣化。因而,對(duì)雙工器而言,需要縮小尺寸并改善隔離。
日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No.2006-180192描述了一種為互連線之間的間隔提供接地圖案的技術(shù)。
日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No.2006-80921和2006-66978描述了一種利用倒裝焊接將表面聲波(SAW)芯片安裝在絕緣基板上并且以形成在絕緣基板上的環(huán)形電極來密封該表面聲波芯片的技術(shù)。
日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No.2006-180192中公開的技術(shù)在互連線和接地圖案之間需要較大的距離。因此,可能很難在發(fā)射端子和接收端子之間獲得充分的隔離。日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_No.2006-80921和2006-66978中提出的環(huán)形電極可能使隔離劣化。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的方面,提供一種雙工器,所述雙工器包括:絕緣基板,所述絕緣基板具有之上安裝有發(fā)射濾波器和接收濾波器的上表面,和之上形成有電連接到所述發(fā)射濾波器和接收濾波器底部焊盤層的下表面;發(fā)射用焊盤,設(shè)置在所述上表面上并且電連接到所述發(fā)射濾波器;接收用焊盤,設(shè)置在所述上表面上并且電連接到所述接收濾波器;環(huán)形電極,設(shè)置在所述上表面上并且配置以圍繞所述發(fā)射用焊盤和所述接收用焊盤;接地用底部焊盤,包括在所述底部焊盤中,以及貫通互連線,配置為將所述環(huán)形電極和所述接地用底部焊盤相互電連接,并且在所述環(huán)形電極中設(shè)置在沿著所述環(huán)形電極將發(fā)射用焊盤和接收用焊盤連接到一起的路徑中的較短一個(gè)的區(qū)間中。
附圖說明
圖1中的(a)是RF單元的圖,圖1中的(b)是濾波器數(shù)量被減少的RF單元的圖;
圖2中的(a)是雙工器的框圖,圖2中的(b)是該雙工器的截面圖;
圖3中的(a)是在雙工器中設(shè)置的絕緣基板的上部導(dǎo)電層的平面圖,圖3中的(b)是在雙工器中設(shè)置的絕緣基板內(nèi)的第一內(nèi)導(dǎo)電層的平面圖;
圖4中的(a)是在雙工器中設(shè)置的絕緣基板內(nèi)的第二內(nèi)導(dǎo)電層的平面圖,圖4中的(b)是在雙工器中設(shè)置的絕緣基板的下部導(dǎo)電層的平面圖;
圖5是介于發(fā)射用焊盤和接收用焊盤之間的磁場的示意圖;
圖6中的(a)是在根據(jù)第一實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板的上部導(dǎo)電層的平面圖,圖6中的(b)是在根據(jù)第一實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板內(nèi)的第一內(nèi)導(dǎo)電層的平面圖;
圖7中的(a)和圖7中的(b)例示了根據(jù)第一實(shí)施方式的雙工器的隔離的計(jì)算結(jié)果;
圖8是在根據(jù)第一實(shí)施方式的變型的雙工器中設(shè)置的絕緣基板的上部導(dǎo)電層的平面圖;
圖9中的(a)是在根據(jù)第二實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板的上部導(dǎo)電層的平面圖,圖9中的(b)是在根據(jù)第二實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板內(nèi)的第一內(nèi)導(dǎo)電層的平面圖;
圖10是在根據(jù)第二實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板內(nèi)的第二內(nèi)導(dǎo)電層的平面圖;
圖11中的(a)和圖11中的(b)例示了根據(jù)第二實(shí)施方式的雙工器的隔離的計(jì)算結(jié)果;
圖12是在根據(jù)第三實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板內(nèi)的第二內(nèi)導(dǎo)電層的平面圖;
圖13是在根據(jù)第四實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板內(nèi)的第二內(nèi)導(dǎo)電層的平面圖;
圖14中的(a)是在根據(jù)第五實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板內(nèi)的第一內(nèi)導(dǎo)電層的平面圖,圖14中的(b)是在根據(jù)第五實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板內(nèi)的第二內(nèi)導(dǎo)電層的平面圖;
圖15是在根據(jù)第五實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板的截面圖;
圖16中的(a)是在根據(jù)第六實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板的下部導(dǎo)電層的平面圖,圖16中的(b)是在根據(jù)第六實(shí)施方式的雙工器中設(shè)置的絕緣基板的上部導(dǎo)電層的平面圖;以及
圖17是具有另一種結(jié)構(gòu)的環(huán)形電極的絕緣基板的上部導(dǎo)電層的平面圖。
具體實(shí)施方式
下面將參考附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式。
第一實(shí)施方式
首先,將描述示例性雙工器和使用該雙工器的示例性裝置。將描述射頻(RF)單元的構(gòu)造作為所述裝置的示例。圖1(a)和圖1(b)例示了RF單元。
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