[發明專利]半導體器件形成方法

有效

• 申請號: 201110366094.0
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN103117247A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 洪中山
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體器件形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面依次形成有第一犧牲層、層間介質層以及至少兩個貫穿所述層間介質層和第一犧牲層厚度的溝槽；

對所述溝槽側壁的層間介質層進行處理，形成第二犧牲層；

形成第二犧牲層后，向所述溝槽內填充導電材料，形成金屬線層；

形成第一掩膜層，所述第一掩膜層覆蓋金屬線層和部分所述第二犧牲層，使后續部分第二犧牲層和第一犧牲層不被去除，作為層間介質層的支撐；

去除所述第一掩膜層暴露出的部分第二犧牲層和所述部分第二犧牲層底部的第一犧牲層，形成開口；

去除所述第二掩膜層，形成覆蓋所述金屬線層、剩余的第二犧牲層、層間介質層、且橫跨所述開口的絕緣層。

2.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述第二犧牲層的特征尺寸為1-20nm。

3.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述第二犧牲層的形成工藝為干法刻蝕。

4.如權利要求3所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕的采用的刻蝕氣體包括O₂。

5.如權利要求3所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕的工藝參數包括：刻蝕氣體的流量為10-100sccm；壓力為10-200mTorr；功率為100-500W。

6.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述溝槽和所述第二犧牲層在同一工藝步驟中形成。

7.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述去除所述第一掩膜層暴露出的部分第二犧牲層和所述部分第二犧牲層底部的第一犧牲層采用的工藝為濕法刻蝕。

8.如權利要求7所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕采用的化學試劑包括HF。

9.如權利要求7所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的工藝參數范圍包括：濃度為0.1％-5％的HF。

10.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層的材料為SiO₂。

11.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層的厚度為

12.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述層間介質層的材料為k值小于3.0的低K介質材料，所述層間介質層的材料包括C、Si、O、H元素。

13.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述層間介質層的厚度為

14.如權利要求1所述的半導體器件形成方法，其特征在于，還包括：形成在所述層間介質層表面的緩沖層，形成在所述緩沖層表面的第二掩膜層，所述溝槽還貫穿所述第二掩膜層和緩沖層。

15.如權利要求14所述的半導體器件形成方法，其特征在于，所述緩沖層的材料為SiO₂；所述第二掩膜層的材料為TiN或SiN。