[發明專利]60伏高壓LDPMOS結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201110366092.1
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN102394221A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 劉建華
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

1.一種60伏高壓LDPMOS結構(200)的制造方法，包括步驟：

提供P型硅襯底(201)，其上形成有N型埋層(202)，在所述P型硅襯底(201)上熱生長P型外延層(203)；

在所述P型外延層(203)中高能注入N型雜質，并經高溫擴散形成低濃度的高壓N阱(204)，作為所述高壓LDPMOS結構(200)的高壓阱以及高壓器件的自隔離；

在所述高壓N阱(204)中高能注入P型雜質，并經高溫擴散形成低濃度的漏極漂移區域(205)；

在所述高壓LDPMOS結構(200)的源區附近的溝道區注入N型雜質，形成閾值電壓調節區域(206)；

在所述高壓LDPMOS結構(200)的源區附近的柵極下面不能形成反型層的區域注入P型雜質，形成溝道連接區域(207)；

依照標準CMOS工藝在所述P型外延層(203)上形成多個場氧化層(208)，作為低壓器件與電路的隔離部分，以及作為所述高壓LDPMOS結構(200)的柵極氧化層；

在所述高壓LDPMOS結構(200)的所述柵極氧化層上熱生長多晶硅柵并形成多晶柵極(209)；

依照標準CMOS工藝以所述多晶柵極(209)為對準層，在所述高壓LDPMOS結構(200)的源區以及漏區依次圖形曝光，分別形成源極(211)、漏極(212)、襯底引出端(213、214)和N阱引出端(215)。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述源極(211)、漏極(212)、襯底引出端(213、214)、N阱引出端(215)之后還包括步驟：

對所述高壓LDPMOS結構(200)進行快速熱處理過程。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，對所述高壓LDPMOS結構(200)進行快速熱處理過程之后還包括步驟：

對所述高壓LDPMOS結構(200)進行接觸工藝并形成后段工藝。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述接觸工藝包括在所述源極(211)、漏極(212)、襯底引出端(213、214)、N阱引出端(215)上形成鈦硅化物或者鈷硅化物接觸。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的制造方法，其特征在于，所述N型雜質為磷，所述P型雜質為硼。

6.一種60伏高壓LDPMOS結構(200)，包括：

N型埋層(202)，位于P型硅襯底(201)中，所述P型硅襯底(201)上形成有P型外延層(203)；

低濃度的高壓N阱(204)，位于所述N型埋層(202)之上、所述P型外延層(203)之中，作為所述高壓LDPMOS結構(200)的高壓阱以及高壓器件的自隔離；

低濃度的漏極漂移區域(205)，位于所述高壓N阱(204)中；

閾值電壓調節區域(206)，位于所述高壓LDPMOS結構(200)的源區附近的溝道區；

溝道連接區域(207)，位于所述高壓LDPMOS結構(200)的源區附近的柵極下面不能形成反型層的區域；

多個場氧化層(208)，分布于所述P型外延層(203)的表面，作為低壓器件與電路的隔離部分，以及作為所述高壓LDPMOS結構(200)的柵極氧化層；

多晶柵極(209)，位于所述高壓LDPMOS結構(200)的所述柵極氧化層上；

源極(211)、漏極(212)、襯底引出端(213、214)和N阱引出端(215)，分布在所述P型外延層(203)的表面，所述源極(211)位于所述溝道連接區域(207)中，所述漏極(212)位于所述漏極漂移區域(205)中，所述N阱引出端(215)位于所述閾值電壓調節區域(206)中，所述襯底引出端(213、214)位于所述高壓N阱(204)兩側。

7.根據權利要求6所述的高壓LDPMOS結構(200)，其特征在于，所述源極(211)、漏極(212)、襯底引出端(213、214)和N阱引出端(215)上包括鈦硅化物或者鈷硅化物接觸。