[發明專利]不合格多晶擴散方塊電阻的返工方法

有效

• 申請號: 201110365845.7
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN103117325A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 孫林
• 申請（專利權）人: 浚鑫科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

技術領域

本發明涉及太陽能電池領域，尤其涉及不合格多晶擴散方塊電阻的返工方法。

背景技術

在太陽能電池制作過程中，擴散方塊是非常重要的一個參量，方塊，即方塊電阻。考慮一塊長為l、寬為a、厚為t的薄層，如果該薄層材料的電阻率為ρ，則該整個薄層的電阻為而在硅片背面用一定比例的硝酸、氫氟酸和硫酸混合液處理以去除硅片背面和側面磷的效果，同時去除磷硅玻璃。

太陽能電池片的制作依次包括化學清洗及表面織構化處理→擴散→周邊刻蝕及去磷硅玻璃→沉積減反射膜→印刷電極→燒結等工藝，各工藝的具體作用如下：

化學清洗及表面織構化處理，即通過化學反應使原本光亮的硅片表面形成凸凹不平的結構，以增加光的吸收；

擴散，即，通過對P型硅片進行擴散后，表面變成N型，形成PN結，使得硅片具有光伏效應；

周邊刻蝕及去磷硅玻璃，該工藝的目的在于去掉擴散時留在硅片邊緣形成的將PN結兩端短路的導電層，然后過HF槽，去除在擴散工藝中形成的磷硅玻璃；

沉積減反射膜，主要有包括兩類減反射膜，即氮化硅膜和氧化鈦膜，主要作用在于鈍化和減反射；

印刷電極，包括正面電極印刷、背面電極印刷和背電場印刷；

燒結，即，使印刷的電極與硅片之間形成合金的過程。

在上述太陽能電池片的制作過程中，擴散是制作太陽能電池片時的核心工藝，因為該工藝形成PN結，檢驗擴散方塊的大小對整個太陽能電池片的效率起到了至關重要的作用，因此，若經過擴散后測得擴散方塊不合格，則對不合格擴散方塊的返工也成為了提高整體效率的重要步驟。

目前擴散工藝大多采用背靠背擴散，但背面(不應進行擴散的一面)也能擴散上一些磷，而擴散方塊不合格有如下三種情況：

1)擴散方塊偏大；

2)擴散方塊偏小；

3)擴散方塊的不均勻度過大。

對于第1)種情形，現有的返工方法是在返工時繼續擴散，對于第2)和3)種情形，通常是采用四槽HF清洗后用反面返工。

然而，若采用四槽HF清洗后用反面返工，對于背面擴散上的磷沒有辦法去掉，而對不合格的擴散方塊重新擴散將增加方塊的不均勻度。

發明內容

本發明實施例提供一種不合格多晶擴散方塊電阻的返工方法，以徹底除去擴散面上的磷，使得擴散方塊變得均勻。

本發明實施例提供一種不合格多晶擴散方塊電阻的返工方法，所述方法包括以下步驟：(1)配置由硫酸、硝酸和氫氟酸混合而成的刻蝕液，所述硫酸的用量為50～100L，所述硫酸的濃度為質量分數為98％的工業濃硫酸，所述硝酸和氫氟酸的用量為300L，所述硝酸的濃度為300～550g/L，所述氫氟酸的濃度為20～60g/L；(2)將所述刻蝕液盛入溫度為5～20℃的槽體；(3)將不合格多晶擴散方塊電阻置入所述刻蝕液進行背腐蝕，所述不合格多晶擴散方塊電阻在所述刻蝕液中的漂移速度為0.8～2m/min。

可選地，所述將不合格多晶擴散方塊電阻置入所述刻蝕液進行背腐蝕包括包括：將所述不合格多晶擴散方塊電阻正面朝下置入所述刻蝕液進行背腐蝕。

可選地，所述將不合格多晶擴散方塊電阻置入所述刻蝕液進行背腐蝕包括：將所述不合格多晶擴散方塊電阻正面朝上置入所述刻蝕液進行背腐蝕。

可選地，配置所述刻蝕液時所述硫酸的用量為80L。

可選地，配置所述刻蝕液時所述硝酸的濃度為400g/L，所述氫氟酸的濃度為30g/L。

可選地，將所述刻蝕液盛入溫度為5～20℃的槽體具體為：將所述刻蝕液盛入溫度為8℃的槽體。

可選地，進行背腐蝕時所述不合格多晶擴散方塊電阻在所述刻蝕液中的漂移速度為1.3m/min。

可選地，配置所述刻蝕液時所述硫酸的用量為80L，所述硝酸的濃度為400g/L，所述氫氟酸的濃度為30g/L，所述將所述刻蝕液盛入溫度為5～20℃的槽體具體為：將所述刻蝕液盛入溫度為8℃的槽體，所述進行背腐蝕時所述不合格多晶擴散方塊電阻在所述刻蝕液中的漂移速度為1.3m/min。

從上述本發明實施例提供的不合格多晶擴散方塊電阻的返工方法可知，由于上述方法是將不合格多晶擴散方塊電阻置入由硫酸、硝酸和氫氟酸配置而成的刻蝕液進行背腐蝕，以去除硅片背面和側面磷的效果，同時去除磷硅玻璃。因此，與現有技術采用四槽HF清洗后用反面返工相比，本發明實施例提供的方法可以有效地去除不合格多晶擴散方塊電阻正面或背面擴散上的磷，使得在返工時不合格多晶擴散方塊電阻具有一個干凈的擴散面，后續重新進行擴散時方塊的均勻度較高。