[發(fā)明專利]不合格多晶擴(kuò)散方塊電阻的返工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110365845.7
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN103117325A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫林
• 申請（專利權(quán)）人: 浚鑫科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種不合格多晶擴(kuò)散方塊電阻的返工方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)配置由硫酸、硝酸和氫氟酸混合而成的刻蝕液，所述硫酸的用量為50～100L，所述硫酸的濃度為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98％的工業(yè)濃硫酸，所述硝酸和氫氟酸的用量為300L，所述硝酸的濃度為300～550g/L，所述氫氟酸的濃度為20～60g/L；

(2)將所述刻蝕液盛入溫度為5～20℃的槽體；

(3)將不合格多晶擴(kuò)散方塊電阻置入所述刻蝕液進(jìn)行背腐蝕，所述不合格多晶擴(kuò)散方塊電阻在所述刻蝕液中的漂移速度為0.8～2m/min。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將不合格多晶擴(kuò)散方塊電阻置入所述刻蝕液進(jìn)行背腐蝕包括：

將所述不合格多晶擴(kuò)散方塊電阻正面朝下置入所述刻蝕液進(jìn)行背腐蝕。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將不合格多晶擴(kuò)散方塊電阻置入所述刻蝕液進(jìn)行背腐蝕包括：

將所述不合格多晶擴(kuò)散方塊電阻正面朝上置入所述刻蝕液進(jìn)行背腐蝕。

4.如權(quán)利要求1至3任意一項所述的方法，其特征在于，配置所述刻蝕液時所述硫酸的用量為80L。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，配置所述刻蝕液時所述硝酸的濃度為400g/L，所述氫氟酸的濃度為30g/L。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述將所述刻蝕液盛入溫度為5～20℃的槽體具體為：將所述刻蝕液盛入溫度為8℃的槽體。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行背腐蝕時所述不合格多晶擴(kuò)散方塊電阻在所述刻蝕液中的漂移速度為1.3m/min。

8.如權(quán)利要求1至3任意一項所述的方法，其特征在于，配置所述刻蝕液時所述硫酸的用量為80L，所述硝酸的濃度為400g/L，所述氫氟酸的濃度為30g/L；

所述將所述刻蝕液盛入溫度為5～20℃的槽體具體為：將所述刻蝕液盛入溫度為8℃的槽體；

所述進(jìn)行背腐蝕時所述不合格多晶擴(kuò)散方塊電阻在所述刻蝕液中的漂移速度為1.3m/min。