[發(fā)明專利]一種晶體硅重擴磷吸雜酸腐去雜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110365808.6
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102412342A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐冬星
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江波力勝新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 杭州金源通匯專利事務(wù)所(普通合伙) 33236
• 代理人: 周涌賀

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種晶體硅重擴磷吸雜酸腐去雜的制備方法，屬于太陽能電池生產(chǎn)制作技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

晶體硅的磷吸雜主要是由于重擴，高濃度的磷產(chǎn)生位錯具有捕獲雜質(zhì)的性能達(dá)到吸雜的目的。

對于晶體硅的吸雜有很多種方法：磷吸雜、缺陷吸雜等。傳統(tǒng)的磷吸雜有兩種：

1在擴散的同時的就進(jìn)行吸雜的過程，但是由于為了保證獲得合適的方阻并不能進(jìn)行很大程度的重?fù)诫s來達(dá)到很好的吸雜效果；

2、先吸雜后制作電池，具體工藝如下：（1）清洗、酸洗硅片，將硅片表面的油污及金屬雜質(zhì)去除，（2）高溫、高濃度的磷擴散，達(dá)到雜質(zhì)的效果，（3）重新清洗、制絨，將雜質(zhì)層去除，并在硅片表面形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面，（4）擴散形成晶體硅太陽能電池所需的方塊電阻，（5）等離子刻蝕去除邊緣的N層，（6）HF去除擴散形成的磷硅玻璃，

（7）絲網(wǎng)印刷形成背電極、背電場、正面電極，燒結(jié)形成良好的歐姆接觸。

采用以上第一種方法是比較簡單但是不能起到很好的吸雜的效果，采用第二種方法可以起到較好的吸雜效果，但是工藝相對比較復(fù)雜，另外需要進(jìn)過兩次高溫，能耗比較大，對硅片產(chǎn)生一定的損傷，對電池轉(zhuǎn)換效率會產(chǎn)生一定的影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種晶體硅重擴磷吸雜酸腐去雜的制備方法，簡化工藝，降低成本，降低能耗，提升轉(zhuǎn)換效率。

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題而采用的及時方案是一種晶體硅重擴磷吸雜酸腐去雜的制備方法，包括以下步驟：

提供太陽能電池用的單晶硅片，對單晶硅片表面去除損傷層并形成織構(gòu)化絨面結(jié)構(gòu)；

在制絨好的硅片背面貼上一層磷脂，作為重擴散用的磷源。

將背面貼好磷脂的硅片插入石英舟，進(jìn)行雙面擴散；

采用鏈?zhǔn)綕穹涛g將硅片四周的N層去除，同時也用混酸把硅片背面的重擴吸雜層去除。

采用等離子體化學(xué)氣相沉積的方法在硅片表面沉積一層氮化硅鈍化減反膜。

采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)對電池背電極、背電場、正面電極依次印刷，背電極印刷銀漿，背電場印刷鋁漿，正面電極印刷銀漿。通過燒結(jié)形成良好的歐姆接觸。

單晶硅片表面去除損傷層并形成織構(gòu)化絨面結(jié)構(gòu)包括如下步驟：對單晶硅片進(jìn)行預(yù)清洗，采用單晶硅片清洗液進(jìn)行超聲清洗將硅片表面的油污清洗干凈，然后將硅片放置于1.5%濃度的氫氧化鈉和IPA5%濃度的80℃的制絨液中進(jìn)行表面織構(gòu)化工藝，在單晶硅片表面形成3-5um的金字塔狀絨面結(jié)構(gòu)，增加硅片的表面積，增加電池的短路電流。

貼磷脂包括步驟如下：背面貼磷脂包括步驟如下：將制絨好的硅片背面貼上一層磷脂。將貼好磷脂的硅片單片插入石英舟，在850-900℃的POCL₃和O₂的氣氛中進(jìn)行擴散，正面方塊電阻控制在55-65?Ω，貼又磷脂的背面方塊電阻控制在30-40?Ω。

將貼好磷脂的硅片單片插入石英舟，在850-900℃的POCL₃和O₂的氣氛中進(jìn)行擴散，正面方塊電阻控制在55-65?Ω，貼有磷脂的背面方塊電阻控制在30-40?Ω。

采用濕法刻蝕將硅片四周的N層去除括步驟如下：將擴散好的硅片在鏈?zhǔn)綕穹涛g的設(shè)備上用混酸進(jìn)行濕法刻蝕，將硅片四周邊緣的PN結(jié)去除，同時將背面的吸雜層去除，達(dá)到吸雜的目的。

PECVD沉積氮化硅包括步驟如下：將硅片放入直接式PECVD?中450℃沉積氮化硅，氮化硅薄膜的厚度是78-85nm,折射率為2.0-2.1。

采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)對電池背電極、背電場、正面電極依次印刷，背電極印刷銀漿，背電場印刷鋁漿，正面電極印刷銀漿。通過燒結(jié)形成良好的歐姆接觸包括步驟如下：采用絲網(wǎng)印刷背面銀電極，在200-300℃的溫度下烘干，然后再絲網(wǎng)印刷背電場鋁漿，在200-300℃的溫度下烘干，接著絲網(wǎng)印刷正面銀漿，在200-350℃下烘干，左后在500-900℃的氣氛下通入CDA的氣氛下進(jìn)行燒結(jié)形成歐姆接觸。

附圖說明

圖1為本發(fā)明表面絨面化示意圖；

??????圖2為本發(fā)明硅片背面貼磷脂；

??????圖3為本發(fā)明擴散示意圖；

??????圖4為本發(fā)明刻蝕示意圖；

??????圖5為本發(fā)明絲網(wǎng)印刷正面版圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述

本發(fā)明的具體工藝流程如下：