[發明專利]一種晶體硅重擴磷吸雜酸腐去雜的制備方法

無效

• 申請號: 201110365808.6
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102412342A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 徐冬星
• 申請（專利權）人: 浙江波力勝新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 杭州金源通匯專利事務所(普通合伙) 33236
• 代理人: 周涌賀

1.一種晶體硅重擴磷吸雜酸腐去雜的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供太陽能電池用的單晶硅片，對單晶硅片表面去除損傷層并形成織構化絨面結構；

在硅片的背面貼上一層磷脂；

將硅片插入石英舟中，在850-900℃中進行雙面重擴散，在硅片的正面形成方塊電阻55-65?Ω；背面方塊電阻在30-40?Ω；

采用等離子刻蝕的方法去除硅片四周的PN結，達到前后表面PN結的隔離；

采用濕法刻蝕將硅片四周的N層去除，同時也將背面形成的重摻雜區去除，達到去除雜質的目的；

采用等離子體化學氣相沉積的方法在硅片表面沉積一層氮化硅鈍化減反膜；

采用絲網印刷技術對電池背電極、背電場、正面電極依次印刷，背電極印刷銀漿，背電場印刷鋁漿，正面電極印刷銀漿；

通過燒結形成良好的歐姆接觸。

2.如權利要求1所述一種晶體硅重擴磷吸雜酸腐去雜的制備方法，其特征在于，單晶硅片表面去除損傷層并形成織構化絨面結構包括如下步驟：對單晶硅片進行預清洗，采用單晶硅片清洗液進行超聲清洗將硅片表面的油污清洗干凈，然后將硅片放置于1.5%的氫氧化鈉和IPA5%的80℃的混合制絨液中進行表面織構化工藝，在單晶硅片表面形成3-5ｕm的金字塔狀絨面結構，增加硅片的表面積，增加電池的短路電流。

3.如權利要求1所述一種晶體硅重擴磷吸雜酸腐去雜的制備方法，其特征在于，背面貼磷脂包括步驟如下：將制絨好的硅片背面貼上一層磷脂，將貼好磷脂的硅片單片插入石英舟，在850-900℃的POCL3和O2的氣氛中進行擴散，正面方塊電阻控制在55-65?Ω，貼又磷脂的背面方塊電阻控制在30-40?Ω。

4.如權利要求1所述一種晶體硅重擴磷吸雜酸腐去雜的制備方法，其特征在于，所述采用濕法刻蝕將硅片四周的N層去除括步驟如下：將擴散好的硅片在鏈式濕法刻蝕的設備上進行濕法刻蝕，將硅片四周邊緣的PN結去除，同時將背面的吸雜層去除，達到吸雜的目的。

5.如權利要求1所述的一種晶體硅重擴磷吸雜酸腐去雜的制備方法，其特征在于，所述采用等離子體化學氣相沉積的方法在硅片表面沉積一層氮化硅鈍化減反膜包括步驟如下：在硅烷和氨氣的氣氛中采用等離子體輝光放電的方式在400-450℃溫度下進行沉積氮化硅鈍化減反膜，氮化硅薄膜的厚度是78-85nm,折射率為2.0-2.1。

6.如權利要求1所述的一種晶體硅重擴磷吸雜酸腐去雜的制備方法，其特征在于，采用絲網印刷技術對電池背電極、背電場、正面電極依次印刷，背電極印刷銀漿，背電場印刷鋁漿，正面電極印刷銀漿；通過燒結形成良好的歐姆接觸包括步驟如下：采用絲網印刷背面銀電極，在200-300℃的溫度下烘干，然后再絲網印刷背電場鋁漿，在200-300℃的溫度下烘干，接著絲網印刷正面銀漿，在200-350℃下烘干，左后在500-900℃的氣氛下通入CDA的氣氛下進行燒結形成歐姆接觸。