[發(fā)明專利]一種制造平板顯示裝置的設(shè)備和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110365333.0
• 申請日: 2011-11-11
• 公開（公告）號: CN102569127A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金容一;方政鎬;洪基相
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種用于制造顯示裝置的層的設(shè)備，包括：

涂覆生產(chǎn)線，用于在基板上形成透明導(dǎo)電金屬層；

黑化生產(chǎn)線，用于黑化所述透明導(dǎo)電金屬層；

曝光生產(chǎn)線，用于曝光黑化金屬層；

顯影生產(chǎn)線，用于接收具有黑化金屬層的曝光基板，并對接收的基板進行顯影處理，以在所述基板上形成黑化金屬圖案；和

退火生產(chǎn)線，用于對所述基板上的所述黑化金屬圖案進行退火處理，以將黑化金屬圖案恢復(fù)為透明金屬圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述黑化生產(chǎn)線采用等離子體沉積或等離子體源對金屬層進行黑化處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述黑化金屬層包括銦In，所述銦因采用等離子體沉積或等離子體源而與氧相互作用從而沉淀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述退火生產(chǎn)線進行退火處理，所述退火處理包括在約100至400攝氏度的溫度下硬化具有金屬層的基板的處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述黑化金屬層的光透射率比所述透明導(dǎo)電金屬層的光透射率低約40％至60％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述透明導(dǎo)電金屬層由氧化銦錫ITO或氧化銦鋅IZO形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進一步包括：

至少一個裝載/卸載單元，用于將所述基板裝載至所述涂覆生產(chǎn)線，并從所述退火生產(chǎn)線卸載所述基板。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進一步包括：

標(biāo)注生產(chǎn)線，用于在所述基板上設(shè)置識別信息。

9.一種用于形成顯示裝置的層圖案的設(shè)備，包括：

第一生產(chǎn)線，用于在基板上形成透明導(dǎo)電金屬層；

第二生產(chǎn)線，用于通過將透明導(dǎo)電金屬層變?yōu)榈屯该鞫葘?dǎo)電金屬層而暫時改變金屬層的透明度；

第三生產(chǎn)線，用于通過對形成有低透明度導(dǎo)電金屬層的基板進行曝光和顯影處理，圖案化所述低透明度導(dǎo)電金屬層；和

第四生產(chǎn)線，用于對已圖案化的低透明度導(dǎo)電金屬層進行退火處理，將所述低透明度導(dǎo)電金屬層變回透明導(dǎo)電金屬層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述第二生產(chǎn)線采用等離子體沉積或等離子體源來暫時改變金屬層的透明度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述低透明度導(dǎo)電金屬層包括銦In，所述銦因采用等離子體沉積或等離子體源而與氧相互作用從而沉淀。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述第四生產(chǎn)線進行退火處理，所述退火處理包括在約100至400攝氏度的溫度下硬化具有金屬層的基板的處理。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述低透明度導(dǎo)電金屬層的光透射率比所述透明導(dǎo)電金屬層的光透射率低約40％至60％。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述透明導(dǎo)電金屬層由氧化銦錫ITO或氧化銦鋅IZO形成。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，進一步包括：

第五生產(chǎn)線，用于在基板上設(shè)置識別信息。

16.一種用于形成顯示裝置的層圖案的方法，該方法包括：

在基板上形成透明導(dǎo)電金屬層；

通過將透明導(dǎo)電金屬層變?yōu)榈屯该鞫鹊膶?dǎo)電金屬層而暫時改變金屬層的透明度；

對具有低透明度導(dǎo)電金屬層的基板進行曝光和顯影處理，從而圖案化所述低透明度導(dǎo)電金屬層；和

對已圖案化的低透明度導(dǎo)電金屬層進行退火處理，將所述低透明度導(dǎo)電金屬層變回透明導(dǎo)電金屬層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述暫時改變步驟采用等離子體沉積或等離子體源來暫時改變金屬層的透明度。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述低透明度導(dǎo)電金屬層包括銦In，所述銦因采用等離子體沉積或等離子體源而與氧相互作用從而沉淀。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述退火步驟包括在約100至400攝氏度的溫度下硬化具有金屬層的基板的處理。

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中在所述暫時改變步驟中，所述低透明度導(dǎo)電金屬層的光透射率比所述透明導(dǎo)電金屬層的光透射率低約40％至60％。