[發明專利]一種光刻技術用防塵薄膜組件

無效

• 申請號: 201110365311.4
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN102466964A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 白崎享
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F1/64
• 分類號: G03F1/64;G03F1/62
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

技術領域

本發明涉及光刻技術用防塵薄膜組件，特別是在大規模集成電路、超大規模集成電路等半導體裝置的制造過程中作為防塵罩使用的光刻技術用防塵薄膜組件。?

背景技術

以往，在制造大規模集成電路、超大規模集成電路等的半導體器件或液晶顯示板時，通常是通過向半導體晶片或液晶用原板上照射光來形成電路圖案。不過，這里存在這樣一個問題，即當所用的曝光原版上附著了灰塵時，由于這些灰塵會吸收或反射光，因此，會使轉印的圖案發生變形或邊緣模糊不清，導致尺寸、品質以及外觀受損，從而造成半導體裝置或液晶顯示板等的性能和制造成品率的下降。?

由于這個緣故，這些作業通常是在無塵室里進行，但盡管如此，要保持曝光原版總時正常也是很困難的。所以，一般是采用在曝光原版的表面貼附一個用于防塵的、對曝光用光透光性良好的防塵薄膜組件的方法。?

這個方法的優點是，由于灰塵不直接附著在曝光原版的表面，而是附著在防塵薄膜上，所以在光刻時只要把焦距對準曝光原版上的圖案，防塵薄膜組件上的灰塵便與轉印無關了。?

防塵薄膜組件的構成，是先往由鋁、不銹鋼、聚乙烯等制成的防塵薄膜組件框架的頂面涂布防塵薄膜的易溶溶劑，通過風干將由透光性良好的硝酸纖維素、醋酸纖維素或氟樹脂等制成的透明防塵薄膜粘貼上去(參照專利文獻1)；或者使用丙烯酸樹脂、環氧樹脂等粘合劑進行粘貼(參照專利文獻2、專利文獻3、專利文獻4)。而在防塵薄膜組件框架的底面設有由聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、硅樹脂構成的粘著劑層以及保護該粘著劑層的離型層(隔離膜)。?

近年，光刻技術的分辨率在不斷提高，為了實現這種高分辨率，短波長的光作為光源正逐漸得到應用。具體來說，正在從紫外線g光(436nm)向I?光(365nm)、KrF激光(248nm)過渡，最近幾年又已經開始使用波長更短的ArF激光(193nm)。?

然而，隨著曝光光源波長的縮短，曝光原版(光掩模)的變形翹曲對光刻圖形的變形的影響變得越來越突出。?

所貼附的防塵薄膜組件的平坦度，是引起曝光原版變形翹曲的原因之?

此前，本發明人曾建議通過提高防塵薄膜組件的光掩模粘著劑層的平坦度，來抑制將防塵薄膜組件貼附于光掩模時所引起的光掩模的變形(參照專利文獻5)。?

專利文獻5提出把涂敷于防塵薄膜組件框架端面上的粘著劑的表面做成平坦面。?

通過該發明，光掩模的平坦度得到顯著的提高。不過，尤其是在使用短波長光進行曝光時，又時常出現圖像扭曲的現象。究其原因發現，是由于貼附時粘著劑層發生了變形，這種變形因粘著劑的粘著力被保持，從而殘留下變形應力。?

具體來說，當把防塵薄膜組件往光掩模上貼附時，通過防塵薄膜組件安裝機的加壓板從防塵薄膜組件框架的粘合劑層一側進行加壓，這時，如果粘合劑層中有凸凹不平，凸起部分所受到的壓力將會更大一些。因此，即使粘著劑的表面(光掩模貼附側的表面)做得很平坦，與粘合劑層的凸起部分相對應粘著劑層將會受到更大的壓力，所以結果造成粘著劑層發生變形，使其側面向外膨脹突出從而與光掩模接觸。?

當加壓結束，加壓板從防塵薄膜組件離開后，從壓力中解放出來的防塵薄膜組件框架試圖恢復原狀。由于粘著劑具有一定的粘著力，突出接觸的部分繼續保持與光掩模接觸的狀態，在解除壓力的同時，光掩模將受到一種拉力，其結果是由于防塵薄膜組件的貼附導致了光掩模的變形翹曲。?

專利文獻?

專利文獻1：特開昭58-219023號公報?

專利文獻2：美國專利第4861402號說明書?

專利文獻3：特公昭63-27707號公報?

專利文獻4：特開平7-168345號公報?

專利文獻5：特開2009-25560號公報?

發明內容

鑒于以上情況，本發明的課題是提供一種光刻技術用防塵薄膜組件，即使將其貼附于光掩模上，也很少會使光掩模發生變形。?

本發明與以往技術相比，最根本的區別在于本發明的防塵薄膜組件降低了粘著層的粘著力。具體來說，本發明的光刻技術用防塵薄膜組件，是在防塵薄膜組件框架的一個端面，借助粘合劑層繃緊粘貼有防塵薄膜，而在防塵薄膜組件框架的另一端面設有粘著劑層，該粘著劑層的光掩模貼附面為平坦面，并且其粘著力在1N/m至100N/m的范圍之內(優選在4N/m至80N/m的范圍之內)。優選的情況是，使前述粘著劑層的光掩模貼附面的平坦度為15μm以下，使貼附有防塵薄膜的前述粘合劑層的面的平坦度為15μm以下。?