[發明專利]鍍膜件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110365225.3
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN103114287A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 張新倍;蔣煥梧;陳正士;李聰
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C28/04
• 分類號: C23C28/04;C25D11/04;C25D11/18;C23C14/08;C23C14/10
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1.一種鍍膜件，包括基體及形成于基體表面的陽極氧化膜，其特征在于：所述鍍膜件還包括依次形成于該陽極氧化膜表面的真空鍍膜層，所述陽極氧化膜表面呈不連續狀，所述真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。

2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述陽極氧化膜表面形成有氯化鋁。

3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述真空鍍膜層的厚度為1~1.8μm。

4.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述真空鍍膜層為無色透明狀。

5.一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟：

提供基體；

通過陽極氧化處理的方式，在該基體的表面形成陽極氧化膜；

對所述陽極氧化膜表面進行鹽酸水溶液擦拭處理，使所述陽極氧化膜表面呈不連續狀；

采用真空鍍膜法，以硅靶或鋁靶為靶材，以氧氣為反應氣體，在經上述處理后的陽極氧化膜上形成真空鍍膜層，該真空鍍膜層為二氧化硅層或氧化鋁層。

6.如權利要求5所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：所述鹽酸水溶液擦拭處理的方法為：采用所述鹽酸水溶液的質量百分含量為5-8%對所述陽極氧化膜的表面擦拭1-5min。

7.如權利要求5所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：所述鹽酸水溶液擦拭處理的方法為：采用所述鹽酸水溶液的質量百分含量為5%對所述陽極氧化膜的表面擦拭1min。

8.如權利要求5所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：形成所述真空鍍膜層的方法為：采用磁控濺射鍍膜法，設置硅靶或鋁靶的功率為6~15kw，以氧氣為反應氣體，調節氧氣的流量為50~200sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100~300sccm，施加于基體的偏壓為-100~-300V，鍍膜溫度為10~200℃，鍍膜時間為30~40min。