[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201110365085.X
• 申請日: 2011-11-17
• 公開（公告）號: CN102467966A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 安正烈;吳尚炫;金占壽
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/06
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種半導體存儲器件，包括：

被配置成具有存儲器單元串的存儲器陣列，所述存儲器單元串包括：具有串聯連接的存儲器單元的第一存儲器單元組；具有串聯連接的存儲器單元的第二存儲器單元組，其中在針對擦除操作而選中所述第一存儲器單元組的情況下所述第二存儲器單元組不被選中，而在針對擦除操作而選中所述第二存儲器單元組的情況下所述第一存儲器單元組不被選中；串聯連接在所述第一存儲器單元組與所述第二存儲器單元組之間的第一虛設元件和第二虛設元件，其中所述第一虛設元件和所述第二虛設元件被配置成在選中的存儲器單元的編程操作或讀取操作期間將所述第一存儲器單元組電連接到所述第二存儲器單元組；以及連接至所述第一存儲器單元組和所述第二存儲器單元組的漏極選擇晶體管和源極選擇晶體管，其中所述第一存儲器單元組和所述第二存儲器單元組被設置在所述漏極選擇晶體管與所述源極選擇晶體管之間，

其中，在針對擦除操作而選中的存儲器單元組的擦除操作期間，第一虛設元件和第二虛設元件中與針對擦除操作而選中的存儲器單元組相鄰的一個被選中。

2.根據權利要求1的半導體存儲器件，還包括：

第一選擇電路，被配置成響應于塊選擇信號而輸出經由第一全局字線提供的操作電壓；

第一子選擇電路，被配置成響應于第一子選擇信號而將從所述第一選擇電路輸出的操作電壓提供至所述第一存儲器單元組的字線；

虛設選擇電路，被配置成響應于塊選擇信號而輸出經由第一全局虛設線和第二全局虛設線提供的操作電壓；

子虛設選擇電路，被配置成響應于子虛設選擇信號而將從所述虛設選擇電路輸出的第一全局虛設線的操作電壓提供給至所述第一虛設元件，以及響應于所述子虛設選擇信號而將從所述虛設選擇電路輸出的第二全局虛設線的操作電壓提供給至所述第二虛設元件；

第二選擇電路，被配置成響應于所述塊選擇信號而輸出經由第二全局字線提供的操作電壓；以及

第二子選擇電路，被配置成響應于第二子選擇信號而將從所述第二選擇電路輸出的操作電壓提供至所述第二存儲器單元組的字線。

3.根據權利要求1的半導體存儲器件，還包括：

第一選擇電路，被配置成響應于塊選擇信號而輸出經由第一全局字線提供的操作電壓；

第一子選擇電路，被配置成響應于第一子選擇信號而將從所述第一選擇電路輸出的操作電壓提供至所述第一存儲器單元組的字線；

虛設選擇電路，被配置成響應于塊選擇信號而輸出經由第一全局虛設線和第二全局虛設線提供的操作電壓；

第一子虛設選擇電路，被配置成響應于第一子虛設選擇信號而將從所述虛設選擇電路輸出的第一全局虛設線的操作電壓提供給至所述第一虛設元件，

第二子虛設選擇電路，被配置成響應于第二子虛設選擇信號而將從所述虛設選擇電路輸出的第二全局虛設線的操作電壓提供給至所述第二虛設元件；

第二選擇電路，被配置成響應于所述塊選擇信號而輸出經由第二全局字線提供的操作電壓；以及

第二子選擇電路，被配置成響應于第二子選擇信號而將從所述第二選擇電路輸出的操作電壓提供至所述第二存儲器單元組的字線。

4.根據權利要求1的半導體存儲器件，還包括：

第一塊開關，被配置成響應于第一塊選擇信號而將經由第一全局字線提供的操作電壓施加至第一存儲器單元組的字線，以及響應于第一塊選擇信號而將經由第一全局虛設線提供的操作電壓施加至所述第一虛設元件；以及

第二塊開關，被配置成響應于第二塊選擇信號而將經由第二全局字線提供的操作電壓施加至第二存儲器單元組的字線，以及響應于第二塊選擇信號而將經由第二全局虛設線提供的操作電壓施加至所述第二虛設元件。

5.根據權利要求1的半導體存儲器件，其中，所述第一虛設元件和所述第二虛設元件具有與所述存儲器單元相同的層疊結構。

6.根據權利要求1的半導體存儲器件，其中，所述第一虛設元件和所述第二虛設元件具有與所述漏極選擇晶體管和所述源極選擇晶體管相同的層疊結構。