[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110364464.7
• 申請(qǐng)日: 2011-11-02
• 公開（公告）號(hào): CN102468337A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大西泰彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 張?chǎng)?/td>

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一導(dǎo)電類型的重?fù)诫s半導(dǎo)體襯底；

包括所述第一導(dǎo)電類型的柱狀或?qū)訝畹谝话雽?dǎo)體區(qū)和第二導(dǎo)電類型的柱狀或?qū)訝畹诙雽?dǎo)體區(qū)的第一交替導(dǎo)電型層，所述第一和第二半導(dǎo)體區(qū)平行于所述半導(dǎo)體襯底的表面反復(fù)相互鄰接以在其間形成pn結(jié)，所述pn結(jié)垂直于所述半導(dǎo)體襯底的表面延伸；

所述第一交替導(dǎo)電型層用作漂移層，所述第一交替導(dǎo)電型層在所述半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通狀態(tài)中使電流流動(dòng)且在所述半導(dǎo)體器件的截止?fàn)顟B(tài)中維持電壓；

所述第一交替導(dǎo)電型層的表面?zhèn)壬系谋砻娼Y(jié)構(gòu)，所述表面結(jié)構(gòu)構(gòu)成使所述電流流動(dòng)的有源部分；

包圍所述有源部分的邊緣端接部分；

所述邊緣端接部分中的第二交替導(dǎo)電型層，所述第二交替導(dǎo)電型層包括所述第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)中的第二導(dǎo)電類型的柱狀第四半導(dǎo)體區(qū)，所述第三和第四半導(dǎo)體區(qū)平行于所述半導(dǎo)體襯底的表面反復(fù)相互鄰接以在其間形成pn結(jié)，所述pn結(jié)垂直于所述半導(dǎo)體襯底的表面延伸；以及

所述第二交替導(dǎo)電型層中的第四半導(dǎo)體區(qū)的寬度從所述有源部分的一側(cè)的邊緣向所述邊緣端接部分的邊緣以預(yù)定比率變窄。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括保護(hù)環(huán)，所述保護(hù)環(huán)在所述第二交替導(dǎo)電型層的表面部分中，并且所述保護(hù)環(huán)彼此間隔開。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括所述保護(hù)環(huán)上的導(dǎo)電場(chǎng)板，所述場(chǎng)板與所述保護(hù)環(huán)電接觸。