[發(fā)明專利]一種背表面鈍化的方法以及一種制作太陽(yáng)能電池的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110363814.8
• 申請(qǐng)日: 2011-11-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103117324A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浚鑫科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池生產(chǎn)方法，特別涉及一種背表面鈍化的方法以及一種制作太陽(yáng)能電池的方法。

背景技術(shù)

隨著社會(huì)的飛速發(fā)展，石油，煤炭等不可再生能源的儲(chǔ)量越來(lái)越少，價(jià)格越來(lái)越高。作為重要的清潔能源之一，目前利用太陽(yáng)能的技術(shù)越來(lái)越受到重視并得到廣泛的應(yīng)用。太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法也在不斷優(yōu)化。

現(xiàn)有技術(shù)中太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，大致包括以下步驟：清洗制絨；磷擴(kuò)散制作PN結(jié)；等離子刻邊；去除磷硅玻璃；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD，Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition)沉積正面氮化硅減反射膜；印刷背電極及烘干；印刷背電場(chǎng)及烘干；印刷正面電極；快速燒結(jié)。現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)背表面先進(jìn)行背電極的印刷，再進(jìn)行背電場(chǎng)的印刷。

現(xiàn)有技術(shù)中正面氮化硅膜能對(duì)電池正表面起到很好的鈍化作用，但是背表面沒(méi)有很好的鈍化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供加強(qiáng)背表面鈍化的一種背表面鈍化的方法以及一種制作太陽(yáng)能電池的方法。

一種背表面鈍化的方法，包括：

在硅片背表面印刷鋁電場(chǎng)；

烘干背表面；

在背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜；

在背表面的氮化硅膜上印刷電極；

烘干背表面。

一種制作太陽(yáng)能電池的方法，包括：

清洗制絨；

在硅片正表面磷擴(kuò)散制作P-N結(jié)；

去除磷硅玻璃；

在硅片正表面沉積氮化硅減反射膜；

在硅片背表面印刷鋁電場(chǎng)；

烘干背表面；

在硅片背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜；

在硅片背表面的氮化硅膜上印刷電極；

烘干背表面；

在硅片正表面的氮化硅減反射膜上印刷電極；

對(duì)硅片進(jìn)行燒結(jié)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，由于鋁很難穿透氮化硅膜，所以在鋁電場(chǎng)印刷之后進(jìn)行沉積氮化硅膜；鋁電場(chǎng)稀松并且有許多氣孔，在沉積完背表面氮化硅之后，背表面的氫會(huì)向硅片體內(nèi)擴(kuò)散，起到鈍化作用；在沉積完背表面氮化硅之后再印刷背面電極，可以避免背面電極和硅的接觸，也可以起到鈍化的作用。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中背表面鈍化的方法實(shí)施例示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中制作太陽(yáng)能電池的方法實(shí)施例示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供了能夠加強(qiáng)背表面鈍化的一種背表面鈍化的方法以及一種制作太陽(yáng)能電池的方法。以下進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

請(qǐng)參閱圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例中背表面鈍化的方法包括：

11、在硅片背表面印刷鋁電場(chǎng)：

在硅片的背表面用絲網(wǎng)印刷一層鋁漿，形成一層鋁層即鋁電場(chǎng)；

12、烘干背表面：

將背表面印刷了鋁電場(chǎng)的硅片放入烘箱，充分烘干背表面的鋁電場(chǎng)；

13、在背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜：

利用PECVD沉積法在硅片背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜，使用了氨氣和硅烷來(lái)進(jìn)行沉積，為了增加氮化硅膜中的氫含量，要求氨氣的含量要高，氨氣的流量為6升每分至9升每分，氨氣與硅烷的比值為6至8.，沉積時(shí)間為400秒至500秒，更優(yōu)的，在沉積中使用的氨氣流量為6升每分，硅烷流量為0.8升每分，沉積時(shí)間為450秒；

14、在背表面的氮化硅膜上印刷電極：

在硅片背表面的氮化硅膜上印刷兩條條形電極；

15、烘干背表面：

將背表面印刷了電極的硅片放入燒結(jié)爐，對(duì)其進(jìn)行烘干并使硅片滿足燒結(jié)要求。