[發明專利]一種背表面鈍化的方法以及一種制作太陽能電池的方法有效
| 申請號： | 201110363814.8 | 申請日： | 2011-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN103117324A | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發明（設計）人： | 孫偉 | 申請（專利權）人： | 浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 214443 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 鈍化 方法 以及 制作 太陽能電池 | ||
1.一種背表面鈍化的方法，其特征在于，包括：
在硅片背表面印刷鋁電場；
烘干背表面；
在背表面的鋁電場上沉積氮化硅膜；
在背表面的氮化硅膜上印刷電極；
烘干背表面。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3利用等離子體增強化學氣相沉積法沉積背表面氮化硅膜，在等離子體增強化學氣相沉積法中使用氨氣來進行沉積，氨氣流量為6升每分至9升每分。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：所述步驟3在等離子體增強化學氣相沉積法中使用硅烷來進行沉積，氨氣比硅烷的值為6到8。
4.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于：所述步驟3的沉積時間為400秒至500秒。
5.一種制作太陽能電池的方法，其特征在于，包括：
清洗制絨；
在硅片正表面磷擴散制作P-N結；
去除磷硅玻璃；
在硅片正表面沉積氮化硅減反射膜；
在硅片背表面印刷鋁電場；
烘干背表面；
在硅片背表面的鋁電場上沉積氮化硅膜；
在硅片背表面的氮化硅膜上印刷電極；
烘干背表面；
在硅片正表面的氮化硅減反射膜上印刷電極；
對硅片進行燒結。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：所述在硅片正表面沉積氮化硅減反射膜的方法為等離子體增強化學氣相沉積法沉積氮化硅減反射膜。
7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：所述在硅片背表面沉積氮化硅膜的方法為等離子體增強化學氣相沉積法沉積氮化硅膜，在等離子體增強化學氣相沉積法中使用氨氣來進行沉積，氨氣流量為6升每分至9升每分。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：所述在等離子體增強化學氣相沉積法中使用硅烷來進行沉積，氨氣比硅烷的值為6到8。
9.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于：所述在硅片背表面沉積氮化硅膜的沉積時間為400秒至500秒。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
