[發(fā)明專利]一種偏置電流產(chǎn)生電路以及尾電流源電路

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110363689.0
• 申請(qǐng)日: 2011-11-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103117741A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許建超;潘文杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)民技術(shù)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03L7/099
• 分類(lèi)號(hào): H03L7/099;H03L7/08
• 代理公司: 深圳鼎合誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281
• 代理人: 薛祥輝

1.一種偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，包括：基本偏置電流產(chǎn)生單元、偏置電流輸出單元；

所述基本偏置電流產(chǎn)生單元，連接在固定電壓端和地端之間，用于產(chǎn)生基本偏置電流；

所述偏置電流輸出單元，與所述基本偏置電流產(chǎn)生單元的輸出端相連，用于將基本偏置電流產(chǎn)生單元產(chǎn)生的基本偏置電流按照1∶N的比例拷貝，N為正整數(shù)，并將其輸出為偏置電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述基本偏置電流產(chǎn)生單元為并聯(lián)雙支路電路結(jié)構(gòu)，具體包括：基本偏置電流拷貝子電路和基本偏置電流開(kāi)關(guān)子電路；

所述基本偏置電流拷貝子電路，用于通過(guò)電流拷貝控制所述并聯(lián)雙支路產(chǎn)生兩路相等的基本偏置電流；

所述基本偏置電流開(kāi)關(guān)子電路，與所述基本偏置電流拷貝子電路相連，用于控制所述并聯(lián)雙支路都處于導(dǎo)通狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述基本偏置電流產(chǎn)生單元包括：第一PMOS管、第二PMOS管，第一NMOS管、第二NMOS管，以及第一電阻；

所述第一PMOS管與第二PMOS管兩柵極互連，兩源極接固定電壓端，所述第二PMOS管的柵極與漏極相連，所述第一PMOS管、第二PMOS管構(gòu)成所述基本偏置電流拷貝子電路；

所述第一NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的漏極相連，源極接地端，柵極與所述第二NMOS管的源極相連；所述第二NMOS管的漏極與所述第二PMOS管的漏極相連，柵極與所述第一NMOS管的漏極相連，源極通過(guò)所述第一電阻接地端；所述第一NMOS管、第二NMOS管，第一電阻構(gòu)成所述基本偏置電流開(kāi)關(guān)子電路。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述輸出單元包括第三NMOS管和第二電阻；所述第三NMOS管的漏極為偏置電流輸出端，柵極與所述第二NMOS管的柵極相連，源極通過(guò)所述第二電阻接地端；所述第三NMOS管的尺寸為所述第二NMOS管的N倍，所述第二電阻的阻值為所述第一電阻的1/N。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第三NMOS管由N個(gè)與所述第二NMOS管同尺寸的NMOS管并聯(lián)構(gòu)成；所述第二電阻由N個(gè)與所述第一電阻同阻值的電阻并聯(lián)構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述基本偏置電流產(chǎn)生單元包括：第三PMOS管、第四PMOS管，第四NMOS管、第五NMOS管，以及第三電阻；

所述第四NMOS管與第五NMOS管兩柵極互連，兩源極接地端，所述第五NMOS管的柵極與漏極相連，所述第四NMOS管、第五NMOS管構(gòu)成所述基本偏置電流拷貝子電路；

所述第三PMOS管的漏極與所述第四NMOS管的漏極相連，源極接固定電壓端，柵極與所述第四PMOS管的源極相連；所述第四PMOS管的漏極與所述第五NMOS管的漏極相連，柵極與所述第三PMOS管的漏極相連，源極通過(guò)所述第三電阻接固定電壓端；所述第三PMOS管、第四PMOS管，第三電阻構(gòu)成所述基本偏置電流開(kāi)關(guān)子電路。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述輸出單元包括第五PMOS管和第四電阻；所述第五PMOS管的漏極為偏置電流輸出端，柵極與所述第四PMOS管的柵極相連，源極通過(guò)所述第四電阻接固定電壓端；所述第五PMOS管的尺寸為所述第四PMOS管的N倍，所述第四電阻的阻值為所述第三電阻的1/N。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的偏置電流產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第五PMOS管由N個(gè)與所述第四PMOS管同尺寸的PMOS管并聯(lián)構(gòu)成；所述第四電阻由N個(gè)與所述第三電阻同阻值的電阻并聯(lián)構(gòu)成。

9.一種尾電流源電路，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的偏置電流產(chǎn)生電路，還包括放大單元，所述放大單元與所述偏置電流產(chǎn)生電路的偏置電流輸出端相連，所述放大單元用于輸出尾電流。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的尾電流源電路，其特征在于，所述放大單元為以下兩種電路中的一種：

包括第六PMOS管與第七PMOS管，其兩柵極互連，兩源極接固定電壓端，所述第六PMOS管的柵極與漏極相連并與所述偏置電流輸出端相連；所述第七PMOS管的漏極為尾電流輸出端；

包括第六NMOS管與第七NMOS管，其兩柵極互連，兩源極接地端，所述第六NMOS管的柵極與漏極相連并與所述偏置電流輸出端相連；所述第七NMOS管的漏極為尾電流輸出端。