[發(fā)明專利]用于IC鈍化結(jié)構(gòu)的均勻度控制有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110363632.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-16 |
公開(公告)號(hào): | CN102800650A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳憲偉;于宗源 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
主分類號(hào): | H01L23/528 | 分類號(hào): | H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 北京德恒律師事務(wù)所 11306 | 代理人: | 陸鑫;房嶺梅 |
地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 用于 ic 鈍化 結(jié)構(gòu) 均勻 控制 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)經(jīng)歷了快速成長(zhǎng)。IC材料和設(shè)計(jì)方面的技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)生了幾代IC,其中,每代都具有比前一代更小和更復(fù)雜的電路。然而,這些進(jìn)步增加了處理和制造IC的復(fù)雜性,對(duì)于將實(shí)現(xiàn)的這些進(jìn)步,需要IC處理和制造的類似發(fā)展。在IC演進(jìn)的過(guò)程中,功能密度(即,每芯片面積的互連器件的數(shù)量)通常增加,同時(shí)幾何尺寸(即,使用制造處理可以創(chuàng)建的最小部件)減小。
IC器件的制造通常涉及鈍化處理,其中形成鈍化結(jié)構(gòu)以保護(hù)IC器件內(nèi)部的電子部件不受濕氣、灰塵、和其他污染物粒子的影響。后鈍化互連(PPI)器件可以用于在IC器件內(nèi)的那些電子部件和外部器件之間建立電連接。然而,傳統(tǒng)IC器件通常PPI分布均勻度很差。換句話說(shuō),PPI器件在IC器件的一些區(qū)域中可能具有很高的種群密度,但是在IC器件的其他區(qū)域中具有較低的種群密度。PPI均勻度的不足可能不利地影響IC器件的電氣性能和封裝可靠性。
從而,雖然現(xiàn)有IC鈍化結(jié)構(gòu)通常滿足它們想要的目的,但是它們不能完全滿足每個(gè)方面。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種半導(dǎo)體器件,包括:晶片,包括互連結(jié)構(gòu),所述互連結(jié)構(gòu)包括多個(gè)通孔和多個(gè)互連線;第一導(dǎo)電焊盤,設(shè)置在所述互連結(jié)構(gòu)之上,所述第一導(dǎo)電焊盤電連接至所述互連結(jié)構(gòu);多個(gè)第二導(dǎo)電焊盤,設(shè)置在所述互連結(jié)構(gòu)之上;鈍化層,設(shè)置在所述第一導(dǎo)電焊盤和所述第二導(dǎo)電焊盤之上并且至少部分地密封所述第一導(dǎo)電焊盤和所述第二導(dǎo)電焊盤;以及導(dǎo)電端子,電連接至所述第一導(dǎo)電焊盤但是不與所述第二導(dǎo)電焊盤電連接。
優(yōu)選地,所述晶片包括多個(gè)電子部件;所述第一導(dǎo)電焊盤通過(guò)所述互連結(jié)構(gòu)電連接至所述電子部件中的至少一個(gè);以及所述第二導(dǎo)電焊盤不與所述電子部件電連接。
優(yōu)選地,該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括:第一后鈍化互連(PPI)器件,設(shè)置在所述鈍化層之上,其中,所述第一PPI器件電連接至所述第一導(dǎo)電焊盤,并且其中,所述第一PPI器件電連接至所述導(dǎo)電端子;以及多個(gè)第二PPI器件,設(shè)置在所述鈍化層之上,其中,所述第二PPI器件不與所述第一導(dǎo)電焊盤電連接,并且其中,所述第二PPI器件不與所述導(dǎo)電端子電連接。
優(yōu)選地,所述導(dǎo)電端子包括焊球。
優(yōu)選地,所述第一導(dǎo)電焊盤和所述第二導(dǎo)電焊盤具有相同材料成分,并且其中,所述第一PPI器件和所述第二PPI器件具有相同材料成分。
優(yōu)選地,所述第二PPI器件中的每個(gè)都具有多邊形形狀;所述第二PPI器件中的每個(gè)都具有不少于約10微米的尺寸;以及每個(gè)第二PPI器件都與相鄰第二PPI器件間隔不少于約10微米的距離。
優(yōu)選地,所述第一PPI器件包括與所述第一導(dǎo)電焊盤直接接觸的溝槽部分;以及至少所述第二PPI器件的子集包括與各個(gè)第二導(dǎo)電焊盤直接接觸的各個(gè)溝槽部分。
優(yōu)選地,該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括:第一聚合物層,設(shè)置在所述鈍化層與所述第一PPI器件和第二PPI器件之間;以及第二聚合物層,設(shè)置在所述第一PPI器件和所述第二PPI器件之上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種半導(dǎo)體器件,包括:形成在基板上的多個(gè)功能導(dǎo)電焊盤和多個(gè)偽導(dǎo)電焊盤;鈍化層,形成在所述功能導(dǎo)電焊盤和所述偽導(dǎo)電焊盤之上,所述鈍化層至少部分地密封所述功能導(dǎo)電焊盤和所述偽導(dǎo)電焊盤;多個(gè)功能后鈍化互連(PPI)器件,形成在所述鈍化層之上,其中,每個(gè)功能PPI器件都電連接至所述功能導(dǎo)電焊盤中的相應(yīng)一個(gè);多個(gè)偽PPI器件,形成在所述鈍化層之上,其中,所述偽PPI器件不與所述功能導(dǎo)電焊盤電連接;聚合物層,形成在所述功能PPI器件和所述偽PPI器件之上;以及多個(gè)導(dǎo)電端子,形成在所述聚合物層之上,其中,所述導(dǎo)電端子中的每個(gè)都電連接至所述功能PPI器件中的至少一個(gè),但是所述導(dǎo)電端子不與所述偽PPI器件電連接。
優(yōu)選地,所述基板包括形成在其中的多個(gè)電子部件和形成在所述電子部件之上的互連結(jié)構(gòu);所述功能導(dǎo)電焊盤中的每個(gè)都電連接至所述電子部件中的至少一個(gè);以及所述偽導(dǎo)電焊盤不電連接至所述電子部件。
優(yōu)選地,該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括:多個(gè)功能導(dǎo)電溝槽,每個(gè)均電連接至所述功能PPI器件中的相應(yīng)一個(gè)和所述功能導(dǎo)電焊盤中的相應(yīng)一個(gè);以及多個(gè)偽導(dǎo)電溝槽,每個(gè)均電連接至所述偽PPI器件中的相應(yīng)一個(gè)和所述偽導(dǎo)電焊盤中的相應(yīng)一個(gè)。
優(yōu)選地,所述導(dǎo)電端子中的每個(gè)都包括焊球;所述功能導(dǎo)電焊盤和所述偽導(dǎo)電焊盤包括基本相同的材料成分;以及所述功能PPI器件和所述偽PPI器件包括基本相同的材料成分。
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