[發(fā)明專利]用于IC鈍化結構的均勻度控制

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110363632.0
• 申請日: 2011-11-16
• 公開（公告）號: CN102800650A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設計）人: 陳憲偉;于宗源
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種半導體器件，包括：

晶片，包括互連結構，所述互連結構包括多個通孔和多個互連線；

第一導電焊盤，設置在所述互連結構之上，所述第一導電焊盤電連接至所述互連結構；

多個第二導電焊盤，設置在所述互連結構之上；

鈍化層，設置在所述第一導電焊盤和所述第二導電焊盤之上并且至少部分地密封所述第一導電焊盤和所述第二導電焊盤；以及

導電端子，電連接至所述第一導電焊盤但是不與所述第二導電焊盤電連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述晶片包括多個電子部件；

所述第一導電焊盤通過所述互連結構電連接至所述電子部件中的至少一個；以及

所述第二導電焊盤不與所述電子部件電連接。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

第一后鈍化互連(PPI)器件，設置在所述鈍化層之上，其中，所述第一PPI器件電連接至所述第一導電焊盤，并且其中，所述第一PPI器件電連接至所述導電端子；以及

多個第二PPI器件，設置在所述鈍化層之上，其中，所述第二PPI器件不與所述第一導電焊盤電連接，并且其中，所述第二PPI器件不與所述導電端子電連接，其中，所述導電端子包括焊球，其中，所述第一導電焊盤和所述第二導電焊盤具有相同材料成分，并且其中，所述第一PPI器件和所述第二PPI器件具有相同材料成分，

其中：

所述第二PPI器件中的每個都具有多邊形形狀；

所述第二PPI器件中的每個都具有不少于約10微米的尺寸；以及

每個第二PPI器件都與相鄰第二PPI器件間隔不少于約10微米的距離，其中：

所述第一PPI器件包括與所述第一導電焊盤直接接觸的溝槽部分；以及

至少所述第二PPI器件的子集包括與各個第二導電焊盤直接接觸的各個溝槽部分，

并且所述半導體器件進一步包括：

第一聚合物層，設置在所述鈍化層與所述第一PPI器件和第二PPI器件之間；以及

第二聚合物層，設置在所述第一PPI器件和所述第二PPI器件之上。

4.一種半導體器件，包括：

形成在基板上的多個功能導電焊盤和多個偽導電焊盤；

鈍化層，形成在所述功能導電焊盤和所述偽導電焊盤之上，所述鈍化層至少部分地密封所述功能導電焊盤和所述偽導電焊盤；

多個功能后鈍化互連(PPI)器件，形成在所述鈍化層之上，其中，每個功能PPI器件都電連接至所述功能導電焊盤中的相應一個；

多個偽PPI器件，形成在所述鈍化層之上，其中，所述偽PPI器件不與所述功能導電焊盤電連接；

聚合物層，形成在所述功能PPI器件和所述偽PPI器件之上；以及

多個導電端子，形成在所述聚合物層之上，其中，所述導電端子中的每個都電連接至所述功能PPI器件中的至少一個，但是所述導電端子不與所述偽PPI器件電連接。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件，其中：

所述基板包括形成在其中的多個電子部件和形成在所述電子部件之上的互連結構；

所述功能導電焊盤中的每個都電連接至所述電子部件中的至少一個；以及

所述偽導電焊盤不電連接至所述電子部件。

6.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件，進一步包括：

多個功能導電溝槽，每個均電連接至所述功能PPI器件中的相應一個和所述功能導電焊盤中的相應一個；以及

多個偽導電溝槽，每個均電連接至所述偽PPI器件中的相應一個和所述偽導電焊盤中的相應一個，

其中：

所述導電端子中的每個都包括焊球；

所述功能導電焊盤和所述偽導電焊盤包括基本相同的材料成分；以及

所述功能PPI器件和所述偽PPI器件包括基本相同的材料成分，

其中：

所述偽PPI器件中的每個都具有多邊形形狀；

所述偽PPI器件中的每個都具有大于約10微米的尺寸；以及

每個偽PPI器件都與相鄰偽PPI器件間隔大于約10微米的距離。