[發(fā)明專利]一種芯片點(diǎn)反裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110362946.9 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103117238A | 公開(公告)日: | 2013-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 殷俊;陳小華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 225008 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及對(duì)芯片在加工過(guò)程中的點(diǎn)反操作進(jìn)行改進(jìn)的裝置。
背景技術(shù)
光伏二極管采用肖特基芯片制作,此種芯片對(duì)潔凈度要求較高,若有沾污會(huì)對(duì)材料的波形曲線產(chǎn)生不良影響。目前的作業(yè)方式:塑封站開模時(shí)開石墨船的下模,作業(yè)員將石墨船翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)之后,將下模取下,焊接件留在上模中。在取走下模的過(guò)程中,散落的石墨粉會(huì)落到晶粒的N面,實(shí)驗(yàn)證明石墨粉等雜質(zhì)落到N面不會(huì)對(duì)材料波形造成不良影響,而P面沾污則會(huì)造成材料波形不良。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)以上問(wèn)題,提供了一種可以直接在石墨船的下模中將芯片取走的簡(jiǎn)單、實(shí)用的芯片點(diǎn)反裝置。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:包括具有支腳的石墨船,在石墨船表面開設(shè)有若干垂直貫穿所述石墨船本體的引線孔,還包括活動(dòng)墊板,所述活動(dòng)墊板設(shè)于所述石墨船本體的下部;所述活動(dòng)墊板的兩端設(shè)斜坡,在所述活動(dòng)墊板表面開設(shè)有若干道引線導(dǎo)料槽;所述引線導(dǎo)料槽與所述引線孔的位置對(duì)應(yīng),使得所述引線穿出所述引線孔后的底面能置于所述引線導(dǎo)料槽內(nèi)。?
所述引線孔的上段孔徑大于下段孔徑,上段孔和下段孔之間錐面過(guò)渡。
所述引線釘頭截面呈梯形,所述梯形長(zhǎng)邊與所述引線孔大徑一致。
本發(fā)明在石墨船下部增加了活動(dòng)墊板,且在活動(dòng)墊板上設(shè)置了引線導(dǎo)料槽,使得引線能夠伴隨著墊板的左右移動(dòng)而上下運(yùn)動(dòng),這樣可以避免芯片碰著石墨船,同時(shí)保證了芯片可以焊接在釘頭中央,提高了工作效率,保證了產(chǎn)品質(zhì)量,提高了成品率。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖,
圖2是圖1中3的俯視圖,
圖3是本發(fā)明的工作狀態(tài)圖;
圖中1是石墨船,11是支腳,12是引線孔,2是引線,21是引線釘頭,3是活動(dòng)墊板,31是引線導(dǎo)料槽。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明如圖1~3所示,包括具有支腳11的石墨船1,在石墨船1表面開設(shè)有若干垂直貫穿所述石墨船1本體的引線孔12,還包括活動(dòng)墊板3,所述活動(dòng)墊板3設(shè)于所述石墨船本體的下部;所述活動(dòng)墊板3的兩端設(shè)斜坡,在所述活動(dòng)墊板3表面開設(shè)有若干道引線導(dǎo)料槽31;所述引線導(dǎo)料槽31與所述引線孔12的位置對(duì)應(yīng),使得所述引線2穿出所述引線孔12后的底面能置于所述引線導(dǎo)料槽31內(nèi)。?引線導(dǎo)料槽31是設(shè)在活動(dòng)墊板3的頂面和兩個(gè)坡面,沿著活動(dòng)墊板的軸向開設(shè)的。
所述引線孔12的上段孔徑大于下段孔徑,上段孔和下段孔之間錐面過(guò)渡。
所述引線釘頭21截面呈梯形,所述梯形長(zhǎng)邊與所述引線孔12大徑一致。引線釘頭21截面設(shè)為梯形,避免了芯片與石墨船1接觸,保證了材料的性能。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





