[發明專利]一種三相整流橋堆

無效

• 申請號: 201110362889.4
• 申請日: 2011-11-16
• 公開（公告）號: CN103117273A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 王雙
• 申請（專利權）人: 揚州揚杰電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/03
• 分類號: H01L25/03;H01L23/495;H02M7/06
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

技術領域

本發明涉及對三相整流橋堆結構的改進。

背景技術

現有大功率三相橋一般采用灌封的方式利用人工操作進行單個生產，封裝操作時，將焊接好的半成品放入一個成品外形的外殼內再將液體環氧灌入即利用環氧外殼將環氧和半成品包裹起來形成成品，灌封環氧為兩種不同的液態環氧A，B料，需加熱按比例混合。采用這種方法封裝的橋堆主要有以下的不足：

（1）工藝落后：通過人工配料在加溫固化，產品的氣密性及均勻性欠佳；

（2）質量控制難：傳統工藝采用人工配料，人工灌膠等多個人為控制工序，產品質量與員工的工作經驗、技能水平、熟練程度有密切的關系，質量隨員工的不同而波動，對質量管控增加難度；

（3）生產成本高：由于灌膠的產品是將燒結好的半成品有放入膠殼內進行灌封，膠及膠殼的成本占產品成本的30%~40%，材料成本較高。

此外，如圖5、6所示，現有技術的產品的本體60結構為塊狀，在一些安裝空間窄小的區域內難以進行安裝。

發明內容

本發明針對以上問題，提供了一種生產方便、成本低廉，且整體呈片狀的三相整流橋堆。

本發明的技術方案是：包括二極管芯片一~六、具有引腳的框架一~五、封裝體和六只跳線，所述具有引腳的框架一~五為片狀、且布設在同一平面上；所述框架一~五上的引腳與所述框架本體處于同一平面上。

????所述框架一為正極框架，所述框架二為交流A相框架，所述框架三為交流B相框架，所述框架四為交流C相框架，所述框架五為負極框架；所述芯片一、二和三設置在所述框架一上，所述芯片四設置在所述框架二上，所述芯片五設置在所述框架三上，所述芯片六設置在所述框架四上；所述芯片一通過跳線與所述框架二相連，所述芯片二通過跳線與所述框架三相連，所述芯片三通過跳線與所述框架四相連，所述芯片四、五、六分別通過跳線與所述框架五相連；構成三相整流電路。

本發明采用一次沖切的框架片、跳線與芯片焊接相連，將焊接好的半成品放在成型模具內采用塑封一次性的環氧塑封料壓塑成型，工藝先進，操作簡單極大地提高了勞動生產效率和產品質量。采用塑封一體成型，穩定性和絕緣性效果更佳，散熱面積大，散熱均勻，散熱效果更好，機械強度高。此外，成品呈片狀，能適合安裝空間窄小的使用環境。

附圖說明

圖1是本發明外部結構示意圖，

圖2是圖1的左視圖，

圖3是本發明內部結構示意圖，

圖4是本發明的線路原理圖，

圖5是本發明背景技術外部結構示意圖，

圖6是圖5的左視圖；

圖中1是框架一，2是框架二，3是框架三，4是框架四，5是框架五，6是封裝體，71是芯片一，72是芯片二，73是芯片三，74是芯片四，75是芯片五，76是芯片六，8是跳線。

具體實施方式

本發明如圖1-3所示，包括二極管芯片一~六（71~76）、具有引腳的框架一~五（1~5）、封裝體6和六只跳線8，所述具有引腳的框架一~五為片狀、且布設在同一平面上；所述框架一~五上的引腳與所述框架本體處于同一平面上。

????所述框架一1為正極框架，所述框架二2為交流A相框架，所述框架三3為交流B相框架，所述框架四4為交流C相框架，所述框架五5為負極框架；所述芯片一71、二72和三73設置在所述框架一1上，所述芯片四74設置在所述框架二2上，所述芯片五75設置在所述框架三3上，所述芯片六76設置在所述框架四4上；所述芯片一71通過跳線8與所述框架二2相連，所述芯片二72通過跳線8與所述框架三3相連，所述芯片三73通過跳線8與所述框架四4相連，所述芯片四4、五5、六6分別通過跳線8與所述框架五5相連；構成三相整流電路（如圖4所示）。

本發明的產品特點如下：

（1）引線一排邊設計提高產品面積，增加了散熱面，提高產品的可靠性；

（2）本發明能夠承受3000V的絕緣電壓，比傳統工藝提高20%；

（3）本發明采用塑封方式，比傳統工藝節約了灌封外殼，整個成本上節約30~40%。