[發(fā)明專利]一種可調(diào)節(jié)磁靴的磁控濺射靶

無(wú)效

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• 申請(qǐng)日: 2011-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN102352486A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒定嵩;周學(xué)卿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞市潤(rùn)華光電有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35
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• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及真空磁控濺射鍍AR膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種具有可調(diào)節(jié)、分離式磁靴的磁控濺射靶。

背景技術(shù)

AR膜，又稱高透光率防反射膜，主要功能是增加貼膜的透光率，抗眩光和防紫外線的，是使用磁控濺射技術(shù)在基片上鍍五氧化二鈮Nb₂O₅和二氧化硅SiO₂光學(xué)膜層，光學(xué)膜層產(chǎn)生干涉效果來(lái)消除入射光和反射光，從而提高透過率的，這就要求相關(guān)膜層的均勻性非常高，由于有邊緣繞鍍等粒子效應(yīng)的存在，就會(huì)造成中間部分顏色與邊緣部分顏色的差異，尤其是在做大面積玻璃AR的時(shí)候尤為明顯，時(shí)常碰到中心顏色與邊緣顏色偏差很大。而色差問題是AR膜質(zhì)量的重要評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)。所以如何解決好大面積濺射鍍AR膜也成為一個(gè)難點(diǎn)。

為了解決均勻性問題，常用多靶位互補(bǔ)的方法，但是在需要增大產(chǎn)能的時(shí)候SiO2的厚度成為嚴(yán)重的制約因素，因?yàn)镾iO₂需要鍍120個(gè)納米左右?要占用大量的靶位，而高折射率的材料如Nb₂O₅只需鍍15納米，只需要一對(duì)靶位就能達(dá)到需要的膜厚。這樣就可以把原來(lái)鍍金屬鈮的靶位改換成多晶硅靶就能增加鍍SiO₂膜層得速度，從而提高產(chǎn)能，而且硅靶通過靶間的互補(bǔ)，均勻性相對(duì)比較容易調(diào)節(jié)。在Nb₂O₅靶位少的情況下?如何解決好氧化鈮層得均勻性就成為難點(diǎn)了。這里提出一種用分離式磁靴的方法解決膜厚均勻性問題，達(dá)到提高產(chǎn)能的目的。

為了使Nb₂O₅成膜更均勻，常用的方法有改變布?xì)夂痛艌?chǎng)的不均勻排放來(lái)構(gòu)成，但是在生產(chǎn)過程中布?xì)庀鄬?duì)來(lái)說(shuō)比較不易調(diào)節(jié)，而且相比調(diào)節(jié)磁場(chǎng)效果沒有那么明顯。而這只能掌握在少數(shù)經(jīng)驗(yàn)極其豐富的專家手中。在大面積AR生產(chǎn)過程中我們經(jīng)常碰到中間顏色偏黃，但是邊緣已經(jīng)發(fā)藍(lán)，此時(shí)單調(diào)二氧化硅均勻性對(duì)色差沒有效果（這是因?yàn)槲逖趸莸木鶆蛐暂^差，光學(xué)膜層產(chǎn)生的干涉效果不一致），所以在調(diào)節(jié)磁場(chǎng)時(shí)邊緣磁場(chǎng)跟著加強(qiáng)或減弱，無(wú)法形成很好的環(huán)形磁場(chǎng)束縛電子，使靶穩(wěn)定的工作。這就需要我們能夠在濺射鍍AR膜時(shí)單方面增強(qiáng)中間磁場(chǎng)，而不改變邊緣磁場(chǎng)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為了克服以上現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)提出的，其所解決的技術(shù)問題是提供一種能使邊緣磁場(chǎng)不變，單方面增強(qiáng)中間磁場(chǎng)，具有可調(diào)節(jié)、分離式磁靴的磁控濺射靶。

為此，本發(fā)明提供了一種可調(diào)節(jié)磁靴的磁控濺射靶，包括有陰極座5、磁靴（1、2、3）、磁靴連接塊4，磁靴（1、2、3）裝在陰極座5上，磁靴連接塊4連接著磁靴（1、2）以及磁靴（2、3），其特征在于：磁靴（1、2、3）分離三段并排，中間一段為可調(diào)節(jié)磁靴2。

所述分段磁靴（1、2、3）上裝有分段磁鐵6、均勻磁條7，磁靴（1、3）固定在陰極座上5，磁靴連接塊4一端固定在磁靴（1、3）上、一端與磁靴2相連。

所述磁靴2與磁靴連接塊4的連接處有螺孔41并裝有螺釘42，螺釘42深淺進(jìn)出螺孔41從而推動(dòng)磁靴2實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)磁場(chǎng)，兩頭邊緣的磁場(chǎng)不會(huì)跟著變。

本發(fā)明有益效果是：通過將磁靴分段，調(diào)進(jìn)螺釘42從而調(diào)動(dòng)中間磁靴，可以增強(qiáng)中間磁場(chǎng)強(qiáng)度，整體雖然形成一個(gè)新的不規(guī)則環(huán)形磁場(chǎng)但不會(huì)減小兩端的磁場(chǎng)強(qiáng)度，這樣兩端的磁場(chǎng)強(qiáng)度不至于太弱了而無(wú)法束縛電子，使得濺射不穩(wěn)定。使Nb₂O₅膜層的均勻性很好，調(diào)節(jié)方便；同時(shí)能夠在少靶位的情況下使用一對(duì)Nb₂O₅靶位，而把原來(lái)的部分Nb₂O₅靶位換成多晶硅靶位，從而提高生產(chǎn)效率，增大產(chǎn)能。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)鍍AR膜平面磁控濺射靶的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)磁靴的橫截面圖。

圖3為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明可調(diào)節(jié)磁靴的橫截面圖。

圖中，1、2、3為磁靴、4為磁靴連接塊、5為陰極座、為磁鐵、7為均勻磁條、41為螺孔、42為螺釘、11為現(xiàn)有技術(shù)中的磁靴。

具體實(shí)施方式

附圖中展示的，只是涉及與本發(fā)明改進(jìn)相關(guān)的平面磁控濺射靶部位，平面磁控濺射靶其它部位在此省略。