[發明專利]發光器件有效
申請號: | 201110362166.4 | 申請日: | 2011-11-15 |
公開(公告)號: | CN102569569A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
發明(設計)人: | 丁鐘弼;李祥炫;李善浩;尹浩相 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
主分類號: | H01L33/02 | 分類號: | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/04;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 夏凱;謝麗娜 |
地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 發光 器件 | ||
相關申請的交叉引用?
本申請要求2010年11月16日提交的韓國專利申請No.10-2010-0114036的優先權,其主題通過引用合并在此。?
技術領域
本發明涉及一種發光器件。?
背景技術
發光器件可以包括例如,發光二極管(LED),發光二極管包括將電能轉換為光的半導體器件。?
發光二極管是一種使用化合物半導體的特性將電轉換為紅外光、可見光等等的器件。?
發光二極管可以應用于諸如家用電器、遙控器、電子信號板、顯示器、各種自動用具等等的裝置。?
小型化的發光二極管可以被制造為表面安裝器件使得發光二極管可以被直接設置在印制電路板(PCB)上。因此,用作顯示裝置的LED燈可以被發展為表面安裝器件型。為了呈現各種顏色,這種表面安裝器件可以替代燈并且可以被用作照明顯示器、字符顯示器、圖像顯示器等等。?
附圖說明
可以參考附圖詳細地描述布置和實施例,在附圖中相同的附圖標記指代相同的元件并且其中:?
圖1是根據實施例的發光器件的橫截面圖;?
圖2和圖3示出圖1中所示的發光器件的有源層的結構;?
圖4是示出發光器件的可靠性測試結果的曲線圖;?
圖5是根據實施例的發光器件封裝的橫截面圖;?
圖6示出包括根據實施例的發光器件的照明裝置;?
圖7是沿著圖6的線A-A’截取的橫截面圖;?
圖8示出包括根據實施例的發光器件的液晶顯示裝置;以及?
圖9是包括根據實施例的發光器件的液晶顯示裝置的透視圖;以及?
圖10是顯示發光器件的光輸出的圖表。?
具體實施方式
現在可以詳細地參考示例性實施例,可以在附圖中示出示例性實施例的示例。在附圖中可以使用相同的附圖標記來指代相同的或者相似的部分。?
可以理解的是,當諸如層(膜)、區域、焊盤和/或圖案的器件被稱為是在另一器件“上”或者“下”時,它可以直接地或者間接地在另一器件上面或者下面。此外,可以基于附圖中的圖示來描述各層的“上”或者“下”的定位。?
在附圖中,為了方便和清晰,各層的厚度或者尺寸可以被夸大、省略并且/或者被示意性地示出。因此,附圖中所示的各個器件的尺寸不必表示其實際尺寸。?
在描述發光器件陣列結構的過程中涉及的角度和方向可以參考附圖來描述。在發光器件陣列結構的描述中,如果未清楚地指明關于角度和位置關系的參考點,則可以依據相關的附圖。?
圖1是根據實施例的發光器件的橫截面圖。也可以提供其它的實施例和構造。?
圖1示出發光器件100,該發光器件100可以包括襯底110和布置在襯底110上的發光結構120。發光結構120可以具有第一半導體層122、第二半導體層124以及第一半導體層122和第二半導體層124之間的有源層126。?
發光器件100可以包括使用III至V族元素構成的化合物半導體層的發光二極管(LED)。LED可以是發射藍、綠或者紅光的彩色LED,或者可以是紫外(UV)LED。可以使用在如描述的技術范圍內的各種半導體來體現LED的發射的光。?
例如,可以使用包括藍寶石(Al2O3)的半透明材料形成襯底110。除了藍寶石之外,襯底110可以包括氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)等等。?
襯底110的折射率可以小于第一半導體層122的折射率,這可以提高光提取效率。?
襯底110可以具有圖案化襯底(PSS)結構以增加光提取效率。襯底110可以有也可以沒有PSS結構。?
襯底110可以具有緩沖層112以便于減少襯底110和發光結構120之間的晶格失配,并且有助于半導體層的生長。?
可以在低溫環境下形成緩沖層112。可以使用能夠減少襯底110和發光結構120之間的晶格常數差異的具體材料來形成緩沖層112。這些具體材料可以包括從GaN、InN、AlN、AlInN、InGaN、AlGaN、InAlGaN等等中選擇的至少一個,對此沒有特別限制。?
緩沖層112可以生長在襯底110上的單晶中。單晶生長的緩沖層112可以提高生長在緩沖層112上的發光結構120的結晶度。?
發光結構120可以包括第一半導體層122、第二半導體層124以及第一半導體層122和第二半導體層124之間的有源層126。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于LG伊諾特有限公司,未經LG伊諾特有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110362166.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:射頻連接器組件
- 下一篇:存儲元件、存儲元件制造方法和存儲裝置