[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201110362166.4
• 申請日: 2011-11-15
• 公開（公告）號: CN102569569A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 丁鐘弼;李祥炫;李善浩;尹浩相
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/04;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

1.發光器件，包括：

發光結構，所述發光結構包括第一半導體層、第二半導體層以及所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的有源層，

其中所述有源層包括：

發光層，所述發光層與第二半導體層相鄰并且包括阱層和勢壘層；和

所述發光層和所述第一半導體層之間的超晶格層，所述超晶格層包括至少六對第一層和第二層，其中所述第一層的成分包括銦(In)以及所述第二層包括銦(In)，并且所述第一層的成分不同于所述第二層的成分。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述超晶格層的厚度是所述發光層厚度的8至10倍。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述超晶格層的厚度是所述勢壘層厚度的12至14倍。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第二層的In含量大于所述第一層的In含量。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第二層的In含量是所述第一層的In含量的3至5倍。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一層的厚度是所述勢壘層厚度的4至5倍。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一層的厚度是所述阱層層和所述阻擋中的至少一個的厚度的2至4倍。

8.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述阱層包含In，并且所述第一和第二層的In含量小于所述阱層的In含量。

9.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述勢壘層包含In，并且所述第二層的In含量大于所述阱層的In含量。

10.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一層的能隙大于所述第二層的能隙。

11.根據權利要求1所述的發光器件，其中第一對所述第一層和所述第二層中的第一層的厚度大于第二對所述第一層和所述第二層中的第一層的厚度，其中所述第一對處于所述第一半導體層和所述第二層之間。

12.根據權利要求11所述的發光器件，其中所述第一對所述第一層和所述第二層中的所述第一層的厚度是所述第二對所述第一層和所述第二層中的所述第一層的厚度的1.5至2.0倍。

13.根據權利要求1所述的發光器件，進一步包括第三半導體層，所述第三半導體層設置在所述第二半導體層上，其中所述第三半導體層具有與所述第二半導體層相反的極性。

14.一種發光器件封裝，包括：

權利要求1所述的發光器件；和

主體，所述主體包括第一引線框和與所述第一引線框隔開的第二引線框；并且所述發光器件設置在所述第一引線框上，并且其中樹脂材料填充至少一個腔體，所述至少一個腔體形成在電連接到所述發光器件的所述第一引線框和所述第二引線框上。

15.一種照明系統，包括：

多個發光器件封裝，所述發光器件封裝的每一個均包括權利要求1所述的發光器件；和

印制電路板，在所述印制電路板上安裝有所述多個發光器件封裝。