[發明專利]量子點曝光板及應用所述量子點曝光板的光刻工藝無效
| 申請號: | 201110362036.0 | 申請日: | 2011-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN103105724A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發明(設計)人: | 戎樂天 | 申請(專利權)人: | 臺灣創新記憶體股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 量子 曝光 應用 光刻 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種量子點曝光板,更特定而言,其涉及一種具有量子點陣列的曝光板,其上可呈現出預定圖形的光,以用于曝光工藝中。?
背景技術
在傳統的半導體工藝中,如要在基底上形成各種微細的線路結構,其一般使用光刻工藝先在光阻上定義出線路圖形,之后再透過蝕刻的方式將光阻上的線路圖形轉制到沈積的層結構上,從而完成線路的制作。?
就現今一般的光刻工藝而言,如圖1所示,其繪示出習用光刻工藝中光阻曝光顯影步驟的示意圖。在進行光阻層120曝光步驟之前,為了定義出光阻的受光部位與非受光部位,須先準備一光掩模110來部分遮蔽來自曝光光源100發出的光。光掩模110藉由電子束先在其上刻出貫穿本體的線路圖形。故此,將光掩模110設置在光阻層120上作為屏蔽,其可濾除部分的光,使透過的光呈現出吾人所欲的線路圖形。光阻層120一般為涂布在基材130(如一硅基底)上的光敏高分子材料,其于照射到特定波長的光之后會產生化學反應從而改變了原有的性質。利用此特點,受到呈線路圖形的光曝照的光阻層120將會轉變為具有線路圖形與非線路圖形兩種不同性質的區域,故可在后續的顯影步驟中利用顯影劑將其中一區域溶除(視正、負型光阻材質而定),使光阻層120圖樣化,進而可用在后續的蝕刻工藝中。?
然而,就現今納米世代的半導體工藝而言,一整套電路工藝所需使用到的光掩模要價動輒幾百萬美金,帶給IC設計公司或半導體制造商相當龐大的成本負擔。再者,制作出來的光掩模由于皆已刻畫出線路圖形,若日后線路因產品需求或設計錯誤而需改變圖形時,原有的光掩模就無法套用,須額外再制作另一光掩模,此缺點無疑為電路設計布局者帶來相當程度的不便與制肘。另一方面,就工藝面上來看,隨著半導體線路圖形的線寬(critical?dimension)越作越細,其光阻上亦需曝出更細的線路圖形,如此,由于線寬接近甚至小?于光源波長,所發生的干涉、繞射效應會造成線路圖形變形。現今業界廣泛采用昂貴又耗時的光學近鄰效應修正(optical?proximity?correction)來克服此一現象。是以,就目前習用多年的光掩模曝光作法而言,其已漸漸無法因應現今納米半導體世代龐大的制作成本與工藝考慮。如何去改進現有技術甚或開發新的技術,以成為相關領域的技藝人士無不努力研究的方向。?
發明內容
本案發明人基于解決前述習用作法的缺失,遂特以提出了一種創新的曝光結構與方法,以在成本上與線路設計的裕度上根本地解決原有問題。?
本發明的目的之一在于提出一種量子點曝光板,所述量子點曝光板可透過其上所排列的量子點自行發出可編程的、呈特定圖案的光,應用于現有的光刻工藝中作為曝光之用,不需要再使用昂貴的步進式或掃描式曝光機臺,及昂貴、無法修改的光掩模。?
在本發明一態樣中,所述量子點曝光板包含一基板、一量子點陣列設在所述基板上、多條行控制線電性連接至對應的多行量子點中、及多條列控制線電性連接至對應的多列量子點中。其中所述行控制線與列控制線可分別提供行控制電壓與列控制電壓來控制量子點的發光,使得所述量子點陣列呈現出一發光圖形。?
本發明的另一目的在于提出一種使用上述量子點曝光板的無光掩模式光刻工藝,其步驟順序為提供一所述量子點曝光板、提供一光阻置于所述量子點曝光板的發光面方向、控制所述行控制電壓與所述列控制電壓使得所述量子陣列呈現出一所欲的發光圖形、及以所述發光圖形曝照所述光阻。?
無疑地,本發明的這類目的與其它目的在閱者讀過下文以多種圖示與繪圖來描述的較佳實施例細節說明后將變得更為顯見。?
附圖說明
本說明書含有附圖并于文中構成了本說明書的一部分,俾使閱者對本發明實施例有進一步的了解。所述圖示描繪了本發明一些實施例并連同本文描述一起說明了其原理。?
圖1繪示出習用光刻工藝中光阻曝光顯影步驟的示意圖;?
圖2繪示出根據本發明實施例一量子點曝光板的頂示意圖;?
圖3繪示出根據本發明另一實施例一量子點曝光板的頂示意圖;?
圖4繪示出根據本發明一實施例中具有二極管陣列結構的量子點曝光板的頂示意圖;?
圖5繪示出本發明一實施例中一量子點曝光板發出圖形化的曝光源的頂示意圖;?
圖6繪示出本發明實施例中使用量子點曝光板進行光刻工藝的示意圖。?
須注意本說明書中的所有圖示皆為圖例性質。為了清楚與方便圖標說明之故,圖標中的各部件在尺寸與比例上可能會被夸大或縮小地呈現。圖中相同的參考符號一般而言會用來標示修改后或不同實施例中對應或類似的特征。?
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





