[發明專利]量子點曝光板及應用所述量子點曝光板的光刻工藝

無效

• 申請號: 201110362036.0
• 申請日: 2011-11-15
• 公開（公告）號: CN103105724A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 戎樂天
• 申請（專利權）人: 臺灣創新記憶體股份有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F7/20
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種量子點曝光板，其特征在于，包含：

一基板；

一量子點陣列，其設在所述基板上并由多行量子點或多列量子點組成；

多條行控制線，所述每一行控制線對應地電性連接至所述多行量子點中的其中一行并提供一行控制電壓；及

多條列控制線，所述每一列控制線對應地電性連接至所述多列量子點中的其中一列并提供一列控制電壓，其中所述行控制電壓與所述列控制電壓可控制所對應的量子點發光使得所述量子點陣列呈現出一發光圖形以曝光一光阻。

2.如權利要求1所述的量子點曝光板，其特征在于，所述量子點所發出的光的波長由所述量子點的大小與材質來決定。

3.如權利要求1所述的量子點曝光板，其特征在于，所述量子點的材質選自硒化鎘，磷化銦，砷化銦，氧化鋅，硒化鋅，硒化鉛、硫化鉛或前述材質的組合。

4.如權利要求1所述的量子點曝光板，其特征在于，所述基板的材質包含砷化鎵，砷化銦或磷化銦。

5.如權利要求1所述的量子點曝光板，其特征在于，所述量子點的直徑介于10～30納米之間。

6.如權利要求1所述的量子點曝光板，其特征在于，所述量子點的間距介于十至數十納米之間。?

7.如權利要求1所述的量子點曝光板，其特征在于，所述行控制電壓為掃瞄電壓，所述列控制電壓為輸出入電壓。

8.一種使用權利要求1所述的量子點曝光板的無光掩模光刻工藝，其特征在于，包含下列步驟：

提供一所述量子點曝光板，所述量子點曝光板具有一發光面；

提供一光阻，所述光阻設在一基底上并面向所述量子點曝光板的發光面；

控制所述行控制電壓與所述列控制電壓使得所述量子點陣列呈現出一所欲的發光圖形；

以所述發光圖形曝照所述光阻。

9.如權利要求8所述的無光掩模光刻工藝，其特征在于，所述量子點曝光板與所述光阻的距離為10納米。

10.一種主動式曝光板，其特征在于，包含：

一基板；

一點光源陣列，其設在所述基板上并由多行點光源或多列點光源組成，所述點光源可選擇性呈現出一發光圖形用以曝光一光阻。

11.如權利要求10所述的主動式曝光板，其特征在于，還包含多條行控制線與多條列控制線，所述每一行控制線對應地電性連接至所述多行點光源中的其中一行并提供一行控制電壓，所述每一列控制線對應地電性連接至所述多列點光源中的其中一列并提供一列控制電壓，其中所述行控制電壓與所述列控制電壓可控制所對應的所述點光源發光使得所述點光源陣列呈現出所述發光圖形以曝光所述光阻。?