[發明專利]一種封裝的太陽能電池晶片及其制造方法無效
| 申請號: | 201110361642.0 | 申請日: | 2011-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN103107206A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發明(設計)人: | 駱志炯;朱慧瓏;尹海洲 | 申請(專利權)人: | 聚日(蘇州)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0203 | 分類號: | H01L31/0203;H01L31/0236;H01L31/04;H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 封裝 太陽能電池 晶片 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池領域,特別涉及一種封裝的太陽能電池晶片及其制造方法。
背景技術
近年來,由于能源短缺以及環境污染等問題,太陽能成為解決這些問題的方案之一,而隨著太陽能電池和半導體產業的迅速發展,太陽能電池廣泛應用于各個領域。
從太陽能電池問世以來,提高太陽能電池的轉換效率一直是從事太陽能電池工作的技術人員的目標。改善太陽能電池本征特性和提高太陽能電池吸收光的能力是提高太陽能電池轉換效率的兩個重要方面。有效的減少太陽光在硅片表面的反射損失是提高太陽能轉換效率的一個重要方法,在晶體硅太陽能電池表面形成減反射膜或絨面是常用的兩種方法。
在太陽能電池表面形成絨面,即表面絨面化,在提高電池的效率方面發揮著重要的作用,其一是通過再次收集表面發射光,達到降低表面反射損失的作用;其二是可以在電池內部形成陷光,通過內反射將光陷在電池內部,從而顯著的提高電池的轉換效率。
目前,對于單晶或多晶硅電池,形成表面絨面,主要通過腐蝕刻蝕的方法,刻蝕停止在{100}晶面上來形成。但這種方法需要在太陽能電池晶片的制造工藝中來完成,制作工藝相對較復雜,比較難以控制刻蝕程度來形成理想的絨面結構。
因此,有必要提出一種制作工藝簡單,并能提高減反射和陷光效果的太陽能電池晶片。
發明內容
本發明的目的是針對現有技術的不足,提出了一種制作工藝簡單,并能提高減反射和陷光效果的太陽能電池晶片。
為了實現上述目的,本發明的技術方案是:一種封裝的太陽能電池晶片,包括封裝體和密封于封裝體內的太陽能電池晶片,太陽能電池晶片有上、下兩面,其特征在于,所述封裝體由透明材料組成,封裝體上有絨面結構。
對于太陽能電池,進光面和背光面對于入射光的要求是不一樣的。對于電池的進光面,通常希望通過絨面結構對光的多次入射來減少光的反射損失,使得大部分入射光能夠進入電池內部,獲得吸收利用;但在電池的背光面,有些情況下希望獲得光滑的平面結構,增強對光的反射,使得透過電池材料的入射光能夠反射回去,再次獲得吸收利用。對于雙面絨面結構的電池晶片,雖然在進光面獲得了絨面結構,增強了入射能力,但同時在背光面也產生了絨面結構。這樣當電池工作時,部分沒有吸收的入射光到達背光面時,根據絨面結構的減反增透原理,約有2/3的光將直接透射出電池體外,使得入射光不能有效利用,造成了電池效率的降低。
所以對于雙面絨面電池晶片,需要在背部涂覆一層反射膜和保護膜,得到平面結構,其中反射膜是為了將可能會透射出電池體外的光線反射回來,增強了光的轉換效率,而單絨面結構則可以不涂覆任何薄膜。此外,如果太陽能電池的背光面電極層是導電金屬膜,則其作用相當于反射膜,可以增強光的轉換效率,所以當背光面電極層的材料是導電金屬膜時,封裝體的背光面可以不用涂覆反射膜。保護膜用于防止反射膜被磨損而漏光。
因為太陽能電池的背光面電極層的材料是導電金屬膜并且被金屬膜完全覆蓋時,封裝體的背光面可以不用涂覆反射膜,而且太陽能電池是單面進光或雙面進光時情況也有區別,所以可將其分為以下幾種情況:
(1)太陽能電池是單面進光
(a)當太陽能電池的進光面和背光面電極層的材料分別是TCO(透明導電氧化物)和導電金屬時,進光方向,進光面電極層的面為進光面,此時封裝體的進光面有絨面,而背光面可以沒有絨面,封裝體可以是單絨面或雙絨面。當為單絨面時,封裝體外層為保護膜與反射膜的組合或不需涂覆任何膜;當為雙絨面時,封裝體外層為保護膜;
(b)太陽能電池的進光面和背光面電極層的材料都是TCO時,封裝體的進光面有絨面,而背光面也須有絨面,此時封裝體外層為保護膜和反射膜的組合;
(2)太陽能電池是雙面進光
這時太陽能電池的進光面和背光面電極層的材料都是TCO,此時封裝體的絨面可為單絨面或雙絨面,雙絨面時,封裝體外層為保護膜;單絨面時,封裝體外層不需要涂覆任何膜。
本發明還涉及一種封裝太陽能電池晶片的方法,其包括下列步驟:???形成太陽能電池晶片;
將太陽能電池晶片密封在封裝體內;
在封裝體上形成絨面層。
本發明的有益效果是:根據本發明封裝的太陽能電池晶片,太陽能電池晶片的封裝體上具有絨面,可以在形成透光材料封裝體的同時,對其進行壓印或刻蝕來形成絨面層,制作工藝簡單,而且提高了晶片的減反射和陷光效果,從而提高太陽能電池的轉換效率。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





