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[發明專利]一種封裝的太陽能電池晶片及其制造方法無效

專利信息
申請號: 201110361642.0 申請日: 2011-11-15
公開(公告)號: CN103107206A 公開(公告)日: 2013-05-15
發明(設計)人: 駱志炯;朱慧瓏;尹海洲 申請(專利權)人: 聚日(蘇州)科技有限公司
主分類號: H01L31/0203 分類號: H01L31/0203;H01L31/0236;H01L31/04;H01L31/18
代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 代理人: 朱海波
地址: 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區獨墅*** 國省代碼: 江蘇;32
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 封裝 太陽能電池 晶片 及其 制造 方法
【權利要求書】:

1.一種封裝的太陽能電池晶片,包括封裝體(100)和密封于封裝體內的太陽能電池晶片(200),太陽能電池晶片(200)有上、下兩面,其特征在于,所述封裝體(100)由透明材料組成,封裝體(100)上有絨面結構(105)。

2.根據權利要求1所述的封裝的太陽能電池晶片,其特征在于,封裝體(100)包括封裝內層(101)和封裝外層(102),其中封裝外層(102)覆蓋至少一部分封裝內層(101)。

3.根據權利要求1所述的封裝的太陽能電池晶片,其特征在于,太陽能電池晶片(200)包括半導體基板(204),半導體基板(204)表面上有摻雜的半導體層(206,207),在半導體層(206,207)上是電極層(208,210)。

4.根據權利要求3所述的封裝的太陽能電池晶片,其特征在于:電極層的材料是TCO材料或導電金屬材料。

5.根據權利要求4所述的封裝的太陽能電池晶片,其特征在于:TCO材料為SnO2、In2O3、ZnO、ITO、CdO、Cd2SnO4、FTO、AZO或其組合;以及

所述金屬材料為Al、Cr、Cu、Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、M,Sn中的一種或其任意組合。

6.根據權利要求1所述的封裝的太陽能電池晶片,其特征在于,封裝內層(101)具有兩個面,其中至少一個面上具有絨面層(105)。

7.根據權利要求6所述的封裝的太陽能電池晶片,其特征在于,所述絨面層(105)是通過壓印的方式在所述封裝內層(101)上形成的。

8.根據權利要求2所述的封裝的太陽能電池晶片,其特征在于,封裝外層(102)包括反射層(103)和保護層(104),所述反射層位于太陽能電池晶片的背光面一側。

9.根據權利要求1所述的封裝的太陽能電池晶片,其特征在于,所述封裝內層(101)和/或封裝外層(102)的材料選自如下材料之一或其組合:乙烯-乙酸乙烯脂共聚物(EVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚氯乙烯(PVC)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、TPU、硅酮、離子交聯聚合物、光固樹脂。

10.根據權利要求2所述的封裝的太陽能電池晶片,其中所述封裝外層(102)的折射率低于封裝內層(101)的折射率。

11.一種封裝太陽能電池晶片的方法,其包括下列步驟:

形成太陽能電池晶片(200);

將太陽能電池晶片(200)密封在封裝體內;

在封裝體(100)上形成絨面層(105)。

12.根據權利要求11所述的封裝太陽能電池晶片的方法,其特征在于,所述形成太陽能電池晶片(200)的方法包括以下步驟:

制備半導體基板(204);

進行摻雜形成摻雜半導體層(206,207);以及

在半導體層(206,207)上形成電極層(208,210)。

13.根據權利要求11所述的封裝太陽能電池晶片的方法,其特征在于,在封裝體(100)上形成絨面層(105)的步驟包括通過預定模子在封裝體(100)上壓?;蚩涛g形成絨面層(105)。

14.根據權利要求13所述的封裝太陽能電池晶片的方法,其特征在于,所述封裝體(100)包括封裝內層(101)和封裝外層(102),其中封裝外層(102)覆蓋至少一部分封裝內層(101)。

15.根據權利要求14所述的封裝太陽能電池晶片的方法,其特征在于,所述絨面層(105)形成在所述封裝內層(101)上或者封裝內層(101)與封裝外層(102)之間的界面上。

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