[發明專利]場效應晶體管

無效

• 申請號: 201110361360.0
• 申請日: 2011-11-15
• 公開（公告）號: CN102694026A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 池田圭司;入沢壽史;沼田敏典;手塚勉
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 高青

1.一種場效應晶體管，包括：

半導體層；

在半導體層中相互以一定距離形成的源極區和漏極區；

在半導體層的一部分上形成的柵絕緣膜，該部分位于源極區和漏極區之間；

在柵絕緣膜上形成的柵電極；以及

在柵電極的至少一個側面上形成的柵側壁，所述側面位于源極區側和漏極區側，所述柵側壁由高介電材料制成，

其中，所述源極區和漏極區與柵電極的相應側面分開設置。

2.根據權利要求1的晶體管，其中，分別在源極區和漏極區中形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極包含所述半導體層和金屬的金屬間化合物。

3.根據權利要求2的晶體管，其中，

所述源電極和柵電極之間的距離比所述源極區和柵電極之間的距離長，并且，

所述漏電極和柵電極之間的距離比漏極區和柵電極之間的距離長。

4.根據權利要求1的晶體管，其中，所述源極區和漏極區中的每一個由所述半導體層和金屬的金屬間化合物制成。

5.根據權利要求4的晶體管，其中，

所述半導體層為p型半導體，并且，

S和Se中的至少一種元素在所述源極區和所述半導體層之間的界面中以及在所述漏極區和所述半導體層之間的界面中被偏析。

6.根據權利要求1的晶體管，其中，在所述源極區和所述半導體層的位于柵電極正下方的區域之間形成包含摻雜劑的擴展區。

7.根據權利要求6的晶體管，其中，所述柵側壁在漏極區側的柵電極側面上形成，另一個柵側壁在源極區側的柵電極側面上形成并且由低介電材料制成。

8.根據權利要求6的晶體管，其中，所述柵側壁在柵電極的側面上形成并且由高介電材料制成。

9.根據權利要求1的晶體管，其中，所述半導體層是應變Si_1-xGe_x層，其中，0≤x≤1。

10.根據權利要求9的晶體管，其中，所述半導體層在絕緣膜上形成，并且包含在所述絕緣膜側形成的第一Si層、在所述柵絕緣膜側形成的第二Si層、和在第一Si層和第二Si層之間形成的Si_1-xGe_x層，其中，0＜x≤1。

11.根據權利要求9的晶體管，其中，所述半導體層在絕緣膜上形成，并且包含在所述絕緣膜側形成的第一Si層和在所述柵絕緣膜側形成的Si_1-xGe_x層，其中，0＜x≤1。

12.根據權利要求9的晶體管，其中，所述半導體層包含位于柵電極正下方的第一區域和在第一區域的兩側形成的第二區域和第三區域，所述第一區域由Si制成，所述第二區域和第三區域由Si_1-xGe_x制成，其中，0＜x≤1。