[發(fā)明專利]一種基于任務(wù)調(diào)度的raid卡電源自動(dòng)降耗方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110360186.8
• 申請日: 2011-11-15
• 公開（公告）號: CN102520784A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉濤;宋曉鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
• 主分類號: G06F1/32
• 分類號: G06F1/32;G06F1/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于任務(wù)調(diào)度的raid卡電源自動(dòng)降耗方法,?其特征在于利用任務(wù)運(yùn)算負(fù)載的變化來實(shí)現(xiàn)電源項(xiàng)的增減及電壓的調(diào)整，通過參與工作的內(nèi)存顆粒的個(gè)數(shù)以及系統(tǒng)根據(jù)該P(yáng)ECI槽位的數(shù)據(jù)流量估算負(fù)載的變化，SAS?RAID卡上共有5顆內(nèi)存芯片，參與工作的內(nèi)存顆粒個(gè)數(shù)通過對片選信號的統(tǒng)計(jì)實(shí)現(xiàn)電源自動(dòng)降耗；系統(tǒng)包括數(shù)據(jù)采集與實(shí)時(shí)控制裝置單元，數(shù)字電位器控制單元，MOSFET模組單元，遠(yuǎn)程管理接口單元，其中

數(shù)據(jù)采集與實(shí)時(shí)控制裝置單元采用通用的單片機(jī)系統(tǒng)，具體采用了ATMEGA64l可編程微控制器，通過對內(nèi)存顆粒片選信號的統(tǒng)計(jì)以及接受系統(tǒng)發(fā)來的PECI槽位的數(shù)據(jù)流量值，綜合判定當(dāng)前的任務(wù)負(fù)荷大小；并根據(jù)任務(wù)負(fù)荷大小，實(shí)現(xiàn)對SAS?RAID卡IO口電源1.8V的電流調(diào)整和主芯片電源的動(dòng)態(tài)調(diào)整，即決定MOSFET模組單元運(yùn)行情況和主芯片電源電壓的設(shè)定；數(shù)字電位器控制單元采用ISL90727芯片，通過I²C與數(shù)據(jù)采集與實(shí)時(shí)控制裝置單元通信；MOSFET模組單元包括三個(gè)項(xiàng)功率輸出；遠(yuǎn)程管理接口單元提供網(wǎng)絡(luò)接口，以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程管理，遠(yuǎn)程管理接口單元采用W5100單片網(wǎng)絡(luò)接口芯片；?????

數(shù)據(jù)采集與實(shí)時(shí)控制裝置是體系結(jié)構(gòu)的核心，負(fù)責(zé)通過對內(nèi)存顆粒片選信號的統(tǒng)計(jì)以及接受系統(tǒng)發(fā)來的PECI槽位的數(shù)據(jù)流量值，綜合判定當(dāng)前的任務(wù)負(fù)荷大小；并根據(jù)任務(wù)負(fù)荷大小，實(shí)現(xiàn)對SAS?RAID卡IO口電源1.8V的電流調(diào)整和主芯片電源的動(dòng)態(tài)調(diào)整，即決定MOSFET模組單元運(yùn)行情況和主芯片電源電壓的設(shè)定，即根據(jù)實(shí)際運(yùn)行需求，提供合理的功耗，同時(shí)維持相應(yīng)的散熱量即可保持SAS?RAID卡正常運(yùn)行，以此節(jié)約能源；遠(yuǎn)程管理接口單元連接于通用的網(wǎng)絡(luò)接口，通過網(wǎng)絡(luò)使管理員遠(yuǎn)程獲得SAS?RAID卡的電壓與電流狀態(tài)信息，具體步驟如下：

①針對SAS?RAID卡IO口電源1.8V，參與供電的電源輸出MOSFET項(xiàng)數(shù)量根據(jù)任務(wù)運(yùn)算負(fù)載的變化而動(dòng)態(tài)調(diào)整，當(dāng)負(fù)載增大到一定值時(shí)，自動(dòng)喚醒休眠M(jìn)OSFET項(xiàng)，保證整體輸出電流容量；

②按照所設(shè)計(jì)SAS?RAID卡，對IO口電源1.8V輸出電流的需求，將電源電流分為2A、4A、6A三個(gè)輸出等級，即分別對應(yīng)打開一項(xiàng)MOSFET、打開兩項(xiàng)MOSFET和打開三項(xiàng)MOSFET；

③針對主芯片電源，由于RAID芯片在不同工作頻率下提供相適應(yīng)的電壓值在1.0V與1.2V之間波動(dòng)，根據(jù)任務(wù)運(yùn)算負(fù)載的變化，當(dāng)運(yùn)算負(fù)載較輕時(shí)，芯片工作電壓在1.0V附近，當(dāng)運(yùn)算負(fù)載較重時(shí)，芯片需要工作電壓在1.2V附近。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過對IO口電源1.8V輸出電流調(diào)節(jié)成不同檔位，實(shí)現(xiàn)不同運(yùn)算負(fù)載的情況下，對電源輸出電路的合理利用，節(jié)約功耗，降低發(fā)熱量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，主芯片電源輸出電壓動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)，在估算出不同運(yùn)算負(fù)載的情況下，利用數(shù)字電位器對電源輸出電壓的進(jìn)行相應(yīng)設(shè)置，提高主芯片的性能/功耗比，降低主芯片發(fā)熱量。