[發明專利]具有加密結構的IP模塊及其制造方法有效
| 申請號： | 201110360139.3 | 申請日： | 2011-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN102509726A | 公開（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發明（設計）人： | 許丹 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 加密 結構 ip 模塊 及其 制造 方法 | ||
1.一種具有加密結構的IP模塊，其特征在于，包括：多個加密結構，多個所述加密結構組成特定圖形。
2.如權利要求1所述的具有加密結構的IP模塊，其特征在于，所述多個加密結構位于同一層。
3.如權利要求1所述的具有加密結構的IP模塊，其特征在于，所述多個加密結構位于不同層。
4.如權利要求1所述的具有加密結構的IP模塊，其特征在于，所述加密結構為通孔或接觸插塞或金屬線。
5.如權利要求1所述的具有加密結構的IP模塊，其特征在于，所述特定圖形由多個字母組成。
6.如權利要求1所述的具有加密結構的IP模塊，其特征在于，所述特定圖形由多個數字組成。
7.如權利要求1所述的具有加密結構的IP模塊，其特征在于，所述加密結構的材料選自金屬、多晶硅、鈍化層中的一種或組合。
8.制造具有加密結構的IP模塊的方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成加密材料層；
在所述加密材料層上形成光刻膠，并圖形化所述光刻膠；
以圖形化的所述光刻膠為掩膜刻蝕所述加密材料層，在所述加密材料層中形成多個加密結構，多個所述結構組成特定圖形。
9.如權利要求8所述的制造具有加密結構的IP模塊的方法，其特征在于，所述加密材料層為金屬層、多晶硅層或鈍化層。
10.如權利要求8所述的制造具有加密結構的IP模塊的方法，其特征在于，所述特定圖形由數字和/或字母組成。
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