[發明專利]液晶顯示器及其制作方法

有效

• 申請號: 201110360131.7
• 申請日: 2011-11-14
• 公開（公告）號: CN102654671A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: 左雄燦;林準煥
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝;王瑩

技術領域

本發明涉及液晶顯示器技術領域，特別涉及一種不需要隔墊物也能夠維持盒厚的液晶顯示器及其制作方法。

背景技術

現有的薄膜場效應晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD)中，通常通過隔墊物(Ball?Spacer，BS或Photo?Spacer，PS)來支撐彩膜(Color?Filter，CF)基板和陣列基板，使彩膜基板和陣列基板之間形成用于容置液晶的間隙。如圖1所示，為現有技術中液晶顯示器的結構示意圖，其包括對盒的彩膜基板和陣列基板，其中彩膜基板包括透明基板1，透明基板1上形成有黑矩陣(Black?Matrix，BM)2和彩色濾光片3，黑矩陣2和彩色濾光片3上形成有公共電極4，公共電極4上形成有配向膜5；陣列基板包括透明基板1’，透明基板1’上形成有柵極(Gate)17，柵極17上形成有柵極絕緣層(Gate?Insulator)11，柵極絕緣層11上形成有源極/漏極(Source/Drain，S/D)層8，有源(Active)層9，像素電極層10，源極/漏極層8和像素電極層10上形成有絕緣層(PVX層)7，絕緣層7上形成有配向膜5。彩膜基板的配向膜5和陣列基板的配向膜5之間具有隔墊物14，將彩膜基板和陣列基板之間隔出間隙，用于維持盒厚，容置液晶12。

2001年Y.Matsumoto等人報道，將少量Co注入寬禁帶半導體TiO2而形成的稀釋磁性半導體具有室溫鐵磁性，由于TiO2本身有很好的物化特性，如高的折射率、在可見光和紅外范圍極好的透光性，因此CoxTi1-xO2又被稱為透明鐵磁體。日本物質材料研究機構(NIMS)也已開發出一種新型薄膜狀透明磁性半導體，該半導體是通過在Ti1-δO2(即將光觸媒材料TiO2做成薄膜狀)中添加Co和Fe磁性元素而制成的Ti0.8Co0.2O2和Ti0.6Fe0.4O2。其厚度能達到約1nm，為迄今開發的材料中最薄的透明磁性材料?，F有技術已經成熟地利用等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)，成功的在低溫下制備出具有室溫鐵磁性的Zn1-xCoxO稀磁半導體薄膜，并系統的研究了薄膜的結構，表面形貌，光學性質和磁學性質。

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是提供一種液晶顯示器，使其在沒有隔墊物的情況下也能夠維持一定的盒厚。

(二)技術方案

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種液晶顯示器，包括對盒的彩膜基板和陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板均包括透明基板，所述彩膜基板和陣列基板的透明基板上分別形成有透明磁性薄膜層。

其中，所述透明磁性薄膜層包括摻雜物和被摻雜物，所述摻雜物為含有磁性過渡族金屬元素的乙酰丙酮鹽中的一種或多種；所述被摻雜物為含有非磁性過渡族金屬元素的乙酰丙酮鹽中的一種或多種。

所述磁性過渡族金屬元素包括Fe、Co、Ni和Mn中的一種或多種；所述非磁性過渡族金屬元素包括Zn、Zr、Ti及Ga中的一種或多種。

所述彩膜基板的透明基板上形成有黑矩陣，所述黑矩陣上形成有彩色濾光片，所述彩色濾光片上形成有公共電極，所述透明基板與黑矩陣之間，或所述黑矩陣和彩色濾光片之間，或所述彩色濾光片與公共電極之間，或所述公共電極上形成有所述透明磁性薄膜層。

所述陣列基板的透明基板上形成有柵極，所述柵極上形成有柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上形成有有源層、像素電極層和源極/漏極層，所述源極/漏極層和像素電極層上形成有絕緣層，所述透明基板與柵極之間，或所述柵極與柵極絕緣層之間，或所述柵極絕緣層與有源層、像素電極層和源極/漏極層之間，或所述源極/漏極層和像素電極層與絕緣層之間，或所述絕緣層上形成有所述透明磁性薄膜層。

進一步地，所述彩膜基板的最外層和陣列基板的最外層上分別形成有配向膜。

為了解決上述技術問題，本發明實施例還提供了一種液晶顯示器的制作方法，包括以下步驟：

步驟S1、制備彩膜基板，包括，在透明基板上形成黑矩陣，在所述黑矩陣上形成彩色濾光片，在所述彩色濾光片上形成公共電極，在所述透明基板與黑矩陣之間，或所述黑矩陣和彩色濾光片之間，或所述彩色濾光片與公共電極之間，或所述公共電極上形成所述透明磁性薄膜層；