[發明專利]液晶顯示器及其制作方法

有效

• 申請號: 201110360131.7
• 申請日: 2011-11-14
• 公開（公告）號: CN102654671A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: 左雄燦;林準煥
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝;王瑩

1.液晶顯示器，包括對盒的彩膜基板和陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板均包括透明基板，其特征在于，所述彩膜基板和陣列基板的透明基板上分別形成有透明磁性薄膜層。

2.如權利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，所述透明磁性薄膜層包括摻雜物和被摻雜物，所述摻雜物為含有磁性過渡族金屬元素的乙酰丙酮鹽中的一種或多種；所述被摻雜物為含有非磁性過渡族金屬元素的乙酰丙酮鹽中的一種或多種。

3.如權利要求2所述的液晶顯示器，其特征在于，所述磁性過渡族金屬元素包括Fe、Co、Ni和Mn中的一種或多種；所述非磁性過渡族金屬元素包括Zn、Zr、Ti及Ga中的一種或多種。

4.如權利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，所述彩膜基板的透明基板上形成有黑矩陣，所述黑矩陣上形成有彩色濾光片，所述彩色濾光片上形成有公共電極，所述透明基板與黑矩陣之間，或所述黑矩陣和彩色濾光片之間，或所述彩色濾光片與公共電極之間，或所述公共電極上形成有所述透明磁性薄膜層。

5.如權利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于，所述陣列基板的透明基板上形成有柵極，所述柵極上形成有柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上形成有有源層、像素電極層和源極/漏極層，所述源極/漏極層和像素電極層上形成有絕緣層，所述透明基板與柵極之間，或所述柵極與柵極絕緣層之間，或所述柵極絕緣層與有源層、像素電極層和源極/漏極層之間，或所述源極/漏極層和像素電極層與絕緣層之間，或所述絕緣層上形成有所述透明磁性薄膜層。

6.如權利要求1-5中任意一項所述的液晶顯示器，其特征在于，所述彩膜基板的最外層和陣列基板的最外層上分別形成有配向膜。

7.液晶顯示器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、制備彩膜基板，包括，在透明基板上形成黑矩陣，在所述黑矩陣上形成彩色濾光片，在所述彩色濾光片上形成公共電極，在所述透明基板與黑矩陣之間，或所述黑矩陣和彩色濾光片之間，或所述彩色濾光片與公共電極之間，或所述公共電極上形成所述透明磁性薄膜層；

步驟S2、制備陣列基板，包括，在另一透明基板上依次形成柵極、柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成有源層、源極/漏極層和像素電極層，并在所述源極/漏極層和像素電極層上形成絕緣層；在所述透明基板與柵極之間，或所述柵極和柵極絕緣層之間，或所述柵極絕緣層與有源層、像素電極層和源極/漏極層之間，或所述源極/漏極層和像素電極層與絕緣層之間，或所述絕緣層上形成所述透明磁性薄膜層；

步驟S4、將所述彩膜基板和陣列基板對盒，并在其間隙中注入液晶。

8.如權利要求7所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，所述步驟S1和步驟S2中透明磁性薄膜層的形成包括以下步驟：

步驟S11、將含有磁性過渡族金屬元素的摻雜物和含有非磁性過渡族金屬元素的被摻雜物按原子比例配置成混合原料，將所述混合原料壓制成蒸發靶，將所述蒸發靶置于容器中；

步驟S12、將所述容器置于等離子體增強化學氣相沉積法沉積室中，對所述沉積室抽真空；

步驟S13、將所述彩膜基板和陣列基板送入所述沉積室，將所述絕緣層和公共電極作為襯底，使所述絕緣層和公共電極正對蒸發靶的正上方，往所述沉積室中通入反應氣體O₂，控制反應氣體O₂起輝；

步驟S14、對所述容器進行加熱，所述蒸發靶中的混合原料在熱輻射下先后從蒸發靶表面逸出，O₂分子分解；經過化學反應沉積，所述絕緣層和公共電極表面混合原料的原子比例逐漸接近所述蒸發靶中的原子比例；

步驟S15、停止加熱，使得所述絕緣層和公共電極表面的透明薄膜自然降溫，將所述彩膜基板和陣列基板取出沉積室；

步驟S16、將所述彩膜基板和陣列基板放置在有外加磁場的腔室中，對所述透明薄膜進行磁化處理，使其成為透明磁性薄膜層。

9.如權利要求8所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，所述摻雜物為含有磁性過渡族金屬元素的乙酰丙酮鹽中的一種或多種；所述被摻雜物為含有非磁性過渡族金屬元素的乙酰丙酮鹽中的一種或多種。

10.如權利要求9所述的液晶顯示器的制作方法，其特征在于，所述磁性過渡族金屬元素包括Fe、Co、Ni和Mn中的一種或多種；所述非磁性過渡族金屬元素包括Zn、Zr、Ti及Ga中的一種或多種。