[發明專利]一種制備SiC納米線和納米帶的方法有效
| 申請號： | 201110359635.7 | 申請日： | 2011-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN102491331A | 公開（公告）日： | 2012-06-13 |
| 發明（設計）人： | 李賀軍;褚衍輝;付前剛;李克智 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | C01B31/36 | 分類號： | C01B31/36;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 sic 納米 方法 | ||
1.一種制備SiC納米線和納米帶的方法，其特征在于步驟如下：
步驟1：稱取質量百分比為70～85％的Si粉，5～15％的SiC粉，7～15％的C粉和3～10％的Al2O3粉，置于松脂球磨罐中，球磨混合處理2～4小時得到混合粉料；
步驟2：將混合粉料一半放入石墨坩堝中，再放入塊狀石墨，另一半混合粉料覆蓋在塊狀石墨之上；
步驟3：將石墨坩堝放入石墨為發熱體的熱壓真空反應爐中，對真空爐進行真空處理后，通Ar氣至常壓，以5～10℃/min升溫速度將爐溫從室溫升至2000-2200℃，保溫1～3小時；關閉電源自然冷卻至室溫，在塊狀石墨表面得到Si-SiC復相陶瓷；整個過程中通Ar氣保護；
步驟4：采用石墨紙包裹Si-SiC復相陶瓷，放入石墨為發熱體的熱壓真空反應爐中，對真空爐進行真空處理后，通Ar氣至常壓，以5～10℃/min升溫速度將爐溫從室溫升至1500～1700℃，保溫1-3小時；關閉電源自然冷卻至室溫，整個過程中通Ar氣保護；
步驟5：取出Si-SiC復相陶瓷，清理表面的石墨紙，在Si-SiC復相陶瓷的表面得到SiC納米線和SiC納米帶。
2.根據權利要求1所述制備SiC納米線和納米帶的方法，其特征在于：所述塊狀石墨清洗后放入烘箱中烘干。
3.根據權利要求1所述制備SiC納米線和納米帶的方法，其特征在于：所述對真空爐進行真空處理為：抽真空30分鐘后使真空度達到-0.09Mpa。
4.根據權利要求1所述制備SiC納米線和納米帶的方法，其特征在于：所述Si粉的純度為99.5％、粒度為300目。
5.根據權利要求1所述制備SiC納米線和納米帶的方法，其特征在于：所述SiC粉的純度為98.5％、粒度為300目。
6.根據權利要求1所述制備SiC納米線和納米帶的方法，其特征在于：所述C粉的純度為99％，粒度為320目。
7.根據權利要求1所述制備SiC納米線和納米帶的方法，其特征在于：所述Al2O3粉的純度為分析純，粒度為100～200目。
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