[發明專利]多項目晶圓的芯片制造方法及多項目晶圓的外層金屬掩膜板

有效

• 申請號: 201110358724.X
• 申請日: 2011-11-11
• 公開（公告）號: CN103107097A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 李付軍;杜鵬;王鍇;蔡建祥
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

【技術領域】

本發明涉及多項目晶圓制造，尤其是涉及一種多項目晶圓的芯片制造方法及多項目晶圓的外層金屬掩膜板。

【背景技術】

在多項目晶圓制程中，每個晶圓包括多種不同芯片，多項目晶圓是不同制程的產品為節省開發成本共用一套掩膜板的晶圓。

多項目晶圓由于具有多種不同的芯片信息，最外層金屬常常被設計成不同的厚度并采用不同的掩膜板形成電路圖形。基于此，在隨后的形成PAD(焊盤)的過程中，接觸孔要對準由不同掩膜板生成的最外層金屬圖形就必須采用不同的PAD掩膜板，否則使用單一的PAD掩膜板(為節省成本，該單一的PAD掩膜板本身是用于單項目晶圓)很有可能會使接觸孔形成于其他芯片區域，且延伸至沒有金屬層的位置，那么與該接觸孔對應的位置會在形成接觸孔的過程中產生缺陷。

【發明內容】

基于此，有必要提供一種可使用單一PAD掩膜板的多項目晶圓的芯片制造方法。

一種多項目晶圓的芯片制造方法，包括以下步驟：在與目標芯片的最外層金屬對應的掩膜板上增設阻擋金屬圖形，所述阻擋金屬圖形對應于與目標芯片同屬一個街區的制程外芯片；利用所述增設了阻擋金屬圖形的掩膜板對多項目晶圓上的最外層金屬進行圖形化處理；在進行圖形化處理后的最外層金屬上淀積絕緣介質層以及鈍化層；利用對應于所述掩膜板的PAD層掩膜板，對所述絕緣介質層及鈍化層進行圖形化處理，形成PAD。

優選地，所述阻擋金屬圖形用于形成整塊的阻擋金屬層。

優選地，所述阻擋金屬圖形用于形成與PAD層掩膜板形成的接觸孔對應的多個金屬塊。

此外，還提供一種可與單一PAD掩膜板配合的多項目晶圓的外層金屬掩膜板。

一種多項目晶圓的外層金屬掩膜板，與多項目晶圓上的最外層金屬對應，其上設有與目標芯片對應的目標圖形，其特征在于，還設有對應于與目標芯片同屬一個街區的制程外芯片的阻擋金屬圖形。

優選地，所述阻擋金屬圖形用于形成整塊的阻擋金屬層。

優選地，所述阻擋金屬圖形用于形成與PAD層掩膜板形成的接觸孔對應的多個金屬塊。

上述多項目晶圓的芯片制造方法和多項目晶圓的最外層金屬掩膜板，由于PAD層掩膜板與目標芯片的最外層金屬的掩膜板對應，因此會在目標芯片上形成正確的PAD區域。而制程外芯片表面的絕緣介質層和鈍化層被圖形化后，形成的接觸孔會在阻擋金屬層之上。因此在形成接觸孔的過程中，由于阻擋金屬層的存在，刻蝕、清洗等步驟不會在制程外芯片上造成缺陷。因此，即使使用單一的PAD掩膜板也不會有問題。

【附圖說明】

圖1為一實施例的多項目晶圓的芯片制造方法流程圖；

圖2為多項目晶圓示意圖；

圖3為街區的局部放大示意圖；

圖4為圖3中的街區上形成PAD接觸孔后的示意圖。

【具體實施方式】

如圖1所示，為一實施例的多項目晶圓的芯片制造方法流程圖。該方法包括如下步驟：

S110：在與目標芯片的最外層金屬對應的掩膜板上增設阻擋金屬圖形，所述阻擋金屬圖形對應于與目標芯片同屬一個街區的制程外芯片。如圖2所示，為多項目晶圓示意圖。多項目晶圓的一個街區10上包括多芯片信息。如圖3所示，是街區10的局部放大圖，該街區10包括目標芯片102和與目標芯片102相鄰的制程外芯片104。目標芯片102是指本次制程中計劃得到的芯片，形成于晶圓上的目標區域。與該目標區域對應有用于圖形化的各層掩膜板。與目標芯片的最外層金屬對應的掩膜板可在最外層金屬上形成電路圖形。制程外芯片104是指在多項目晶圓中，本次制程中未進行相關的工藝操作的芯片，制程外芯片與目標芯片分屬于不同的項目。

在與目標芯片102的最外層金屬對應的掩膜板上，設有目標圖形，用于將最外層金屬圖形化。除此之外，該掩膜板上還設有阻擋金屬圖形，該阻擋金屬圖形對應于制程外芯片104，用于在制程外芯片104上形成阻擋金屬層。該阻擋金屬圖形優選用于形成整塊的阻擋金屬層。

S120：利用所述增設了阻擋金屬圖形的掩膜板對多項目晶圓上的最外層金屬進行圖形化處理。該圖形化處理一方面使目標芯片102上形成所需的電路連線圖形202，另一方面在制程外芯片104上形成了阻擋金屬層204。阻擋金屬層204可以是整塊的金屬層，也可以是與PAD層掩膜板形成的接觸孔對應的多個金屬塊，只需將接觸孔擋住即可。

S130：在進行圖形化處理后的最外層金屬上淀積絕緣介質層以及鈍化層。本步驟是在金屬化后的常規步驟，在此不贅述。