[發(fā)明專利]多項(xiàng)目晶圓的芯片制造方法及多項(xiàng)目晶圓的外層金屬掩膜板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110358724.X | 申請日: | 2011-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN103107097A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李付軍;杜鵬;王鍇;蔡建祥 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多項(xiàng) 目晶圓 芯片 制造 方法 外層 金屬 掩膜板 | ||
1.一種多項(xiàng)目晶圓的芯片制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
在與目標(biāo)芯片的最外層金屬對應(yīng)的掩膜板上增設(shè)阻擋金屬圖形,所述阻擋金屬圖形對應(yīng)于與目標(biāo)芯片同屬一個(gè)街區(qū)的制程外芯片;
利用所述增設(shè)了阻擋金屬圖形的掩膜板對多項(xiàng)目晶圓上的最外層金屬進(jìn)行圖形化處理;
在進(jìn)行圖形化處理后的最外層金屬上淀積絕緣介質(zhì)層以及鈍化層;
利用對應(yīng)于所述掩膜板的PAD層掩膜板,對所述絕緣介質(zhì)層及鈍化層進(jìn)行圖形化處理,形成PAD。
2.如權(quán)利要求1所述的多項(xiàng)目晶圓的芯片制造方法,其特征在于,所述阻擋金屬圖形用于形成整塊的阻擋金屬層。
3.如權(quán)利要求1所述的多項(xiàng)目晶圓的芯片制造方法,其特征在于,所述阻擋金屬圖形用于形成與PAD層掩膜板形成的接觸孔對應(yīng)的多個(gè)金屬塊。
4.一種多項(xiàng)目晶圓的外層金屬掩膜板,與多項(xiàng)目晶圓上的最外層金屬對應(yīng),其上設(shè)有與目標(biāo)芯片對應(yīng)的目標(biāo)圖形,其特征在于,還設(shè)有對應(yīng)于與目標(biāo)芯片同屬一個(gè)街區(qū)的制程外芯片的阻擋金屬圖形。
5.如權(quán)利要求4所述的多項(xiàng)目晶圓的外層金屬掩膜板,其特征在于,所述阻擋金屬圖形用于形成整塊的阻擋金屬層。
6.如權(quán)利要求4所述的多項(xiàng)目晶圓的外層金屬掩膜板,其特征在于,所述阻擋金屬圖形用于形成與PAD層掩膜板形成的接觸孔對應(yīng)的多個(gè)金屬塊。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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