[發(fā)明專利]一種電致發(fā)光器件及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110358442.X | 申請日： | 2011-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN102364708A | 公開（公告）日： | 2012-02-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬向陽;楊揚;楊德仁 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號： | H01L33/26 | 分類號： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種電致發(fā)光器件，包括P型硅襯底(1)、自下而上依次沉積在 P型硅襯底(1)正面的發(fā)光層(2)和電極層(3)及沉積在P型硅襯底 (1)背面的歐姆接觸電極(4)，其特征在于，所述的發(fā)光層為摻Er的TiO2膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的電極 層為透明的ITO膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的ITO 膜厚度為140～160nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的歐姆 接觸電極為Au膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的Au 膜厚度為140～160nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的P型 硅片的厚度為600～700微米，電阻率為0.001～0.01歐姆·厘米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的摻Er 的TiO2膜的厚度為180～200nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的摻Er 的TiO2膜中Er/Ti的比例為0.01-0.05。
9.一種制備權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件的方法，包括：
在P型硅襯底正面依次通過磁控濺射法沉積摻Er的TiO2膜和直流濺 射法沉積電極層，在P型硅襯底的背面通過直流濺射法沉積歐姆接觸電 極。
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