[發明專利]一種電致發光器件及其制備方法無效

申請號：	201110358442.X	申請日：	2011-11-14
公開（公告）號：	CN102364708A	公開（公告）日：	2012-02-29
發明（設計）人：	馬向陽;楊揚;楊德仁	申請（專利權）人：	浙江大學
主分類號：	H01L33/26	分類號：	H01L33/26;H01L33/00
代理公司：	杭州天勤知識產權代理有限公司 33224	代理人：	胡紅娟
地址：	310027 浙***	國省代碼：	浙江;33
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種電致發光器件及其制備方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

技術領域

本發明涉及光電子技術領域，具體涉及一種電致發光器件及其制備方法。

背景技術

由于來自Er³⁺離子的約1540nm的特征發光位于光纖通訊中的吸收極小值，關于由摻Er的介質材料制得的發光器件的研究目前廣受關注。基于摻Er的氧化硅及氮化硅體系的發光器件已有大量的研究和嘗試，但在以上體系中，電注入比較困難，器件工作電壓過高(O.Jambois，F. Gourbilleau，A.J.Kenyon，J.Montserrat，R.Rizk?and?B.Garrido，Optics? Express?18，2230(2010)；S.Yerci，R.Li?and?L.?Dal?Negro，Applied?Physics? Letters?97，081109(2010))。基于III-V族半導體的摻Er的發光器件也已有較多研究(M.Garter，J.Scofield，R.Birkhahn?and?A.J.Steckl，Applied? Physics?Letters?74，182(1999)；R.Dahal，C.Ugolini，J.Y.Lin，H.X.Jiang?and? J.M.Zavada，Applied?Physics?Letters?97，141109(2010))，但III-V族半導體不可或缺的Ga和In面臨資源稀缺的限制。因此，探索基于在資源上更有優勢的其它摻Er的半導體的發光器件具有重要的現實意義。

TiO₂作為常見的寬禁帶氧化物半導體材料，載流子的注入和傳輸較易實現。專利號為ZL200710070055.X的發明專利公開了一種二氧化鈦電致發光器件，由硅襯底、自下而上依次沉積在硅襯底正面的TiO₂薄膜和ITO 電極以及沉積在硅襯底背面的歐姆接觸電極組成，實現了硅襯底上的硅基二氧化鈦的電致發光。

已有的研究中摻Er的TiO₂的光致發光已經實現(S.Komuro，T. Katsumata，H.Kokai，T.Morikawa?and?X.Zhao，Applied?Physics?Letters?81， 4733(2002))，但是基于摻Er的TiO₂的電致發光(EL)器件還未見諸報道。

發明內容

本發明提供了一種結構簡單且易于實現的基于摻鉺的氧化鈦/P型硅異質結的電致發光器件及制備方法。

一種電致發光器件，包括P型硅襯底、自下而上依次沉積在P型硅襯底正面的發光層和電極層及沉積在P型硅襯底背面的歐姆接觸電極，所述的發光層為摻Er的TiO₂膜。

作為優選，所述的電極層為透明的ITO膜，所述的ITO膜厚度為140～ 160nm。

作為優選，所述的歐姆接觸電極為Au膜，所述的Au膜厚度為140～ 160nm。

作為優選，所述的P型硅片的厚度為600～700微米，電阻率為0.001～ 0.01歐姆·厘米。

作為優選，所述的摻Er的TiO₂膜的厚度為180～200nm。

作為優選，所述的摻Er的TiO₂膜中Er/Ti的比例為0.01-0.05。

本發明還提供了一種制備所述的電致發光器件的方法，包括：

在P型硅襯底正面依次通過磁控濺射法沉積摻Er的TiO₂膜和直流濺射法沉積電極層，在P型硅襯底的背面通過直流濺射法沉積歐姆接觸電極。