[發(fā)明專利]用于增加未對準(zhǔn)鰭的鰭式器件密度的方法和器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110358405.9 | 申請日: | 2011-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN102468182A | 公開(公告)日: | 2012-05-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王建勛;張智勝;林以唐;謝銘峰 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336;G06F17/50;G03F1/00 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務(wù)所 11306 | 代理人: | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 增加 對準(zhǔn) 器件 密度 方法 | ||
1.一種生成器件布局的半導(dǎo)體制造方法,包括:
接收第一布局,所述第一布局包括多個(gè)有源區(qū)域,每個(gè)有源區(qū)域具有邊;
對于所述多個(gè)有源區(qū)域中的每個(gè),限定多個(gè)延長芯棒,所述多個(gè)延長芯棒均在第一方向上延伸并在與所述第一方向垂直的第二方向上彼此隔開,根據(jù)柵電極的延長方向選擇所述第一方向;
確定在部分平行有源區(qū)域的相鄰對之間的最近邊之間的所述第一方向上的最小距離;
對于具有小于規(guī)定的最小間距的最小距離的部分平行有源區(qū)域的每個(gè)相鄰對,連接延長芯棒對的最近端部的至少一部分,每個(gè)芯棒對來自部分平行有源區(qū)域的相鄰對的不同有源區(qū)域;以及
使用布局生成器生成第二布局,所述第二布局包括:所述多個(gè)有源區(qū)域;多個(gè)延長芯棒,位于所述多個(gè)有源區(qū)域中;以及連接元件,位于部分平行有源區(qū)域的至少一個(gè)相鄰對的有源區(qū)域之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,連接來自部分平行有源區(qū)域的相鄰對的延長芯棒對的最近端部的至少一部分包括:
在部分平行有源區(qū)域的相鄰對的部分平行部中,選擇穿過最近邊的延長芯棒對,所述最近邊具有在它們之間的最短距離;以及
從所選擇的延長金屬心芯棒對開始,將連接元件附接至每對延長芯棒的端部,所述延長金屬心芯棒對的端部穿過所述最近邊,所述延長金屬心芯棒對位于部分平行有源區(qū)域的相鄰對的部分平行部內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述連接元件的寬度不大于其間連接有所述連接元件的任一芯棒的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述連接元件是平直的。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述連接元件是彎曲的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,連接來自部分平行有源區(qū)域的相鄰對的延長芯棒對的最近端部的至少一部分包括:
在部分平行有源區(qū)域的相鄰對之間沿著所述第二方向形成中心連接元件;以及
將分支連接元件附接至所述延長芯棒對的所述最近端部的每個(gè)端,從而連接至所述中心連接元件;
其中,所述分支連接元件在所述第一方向上延伸,并且在與所述第一方向垂直的所述第二方向上彼此隔開;
以及其中,所述延長芯棒對位于部分平行有源區(qū)域的相鄰對的部分平行部內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,所述中心連接元件的寬度不大于位于部分平行有源區(qū)域的相鄰對中的芯棒的寬度的兩倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,所述分支連接元件的寬度不大于連接有所述分支連接元件的芯棒端部的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
使用所述第二布局形成光掩模。
10.一種光掩模,包括:
多個(gè)有源區(qū)域;
多個(gè)芯棒,位于所述多個(gè)有源區(qū)域的每個(gè)中;以及
連接元件,位于有源區(qū)域中的至少一個(gè)相鄰對的有源區(qū)域之間,其中,位于有源區(qū)域的一個(gè)相鄰對的有源區(qū)域之間的最短距離等于或小于最小間距,并且其中,來自有源區(qū)域中的相鄰對的一個(gè)的至少一個(gè)金屬心芯棒與來自有源區(qū)域中的相鄰對的另一個(gè)的至少一個(gè)金屬心芯棒平行。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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