[發明專利]一種可控制備熒光碳點的方法無效
| 申請號: | 201110356592.7 | 申請日: | 2011-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN102492421A | 公開(公告)日: | 2012-06-13 |
| 發明(設計)人: | 龐代文;包蕾;張志凌;田智全 | 申請(專利權)人: | 武漢大學 |
| 主分類號: | C09K11/65 | 分類號: | C09K11/65;C25D11/02 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 汪俊鋒 |
| 地址: | 430072 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 可控 制備 熒光 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種可控制備熒光碳點的方法,屬于化學及材料科學領域。
背景技術
近年來,一種新型可發光的碳納米材料——碳點,受到廣泛關注。碳點是一種單分散的形貌類似球狀的熒光碳質納米材料,其粒徑一般小于10?nm。此類碳納米材料具有優良的熒光性能,如耐光漂,非閃爍、發射波長可調、上轉換性能等。與此同時,其具有良好的水溶性、低毒、粒徑小、生物相容性好以及廉價易得等特點。因此,碳點將有望取代含重金屬的半導體量子點,在材料科學、生物化學、電子器件以及生物醫學等方面具有廣闊的應用前景。雖然目前已發展了多種制備碳點的方法,如激光消融法、電化學方法、電弧放電法、微波法、熱解法等,但往往難以對制備的碳點實現有效精確的控制(包括尺寸控制、發光性質控制等),產品單一。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種可控制備熒光碳點的方法,可以精確控制碳點的粒徑大小和發光波長。
為了實現熒光碳點的可控制備,本發明以碳纖維為工作電極,在含有四丁基高氯酸銨的乙腈溶液中,僅通過調節施加在工作電極上的電極電勢,得到粒徑不同的碳點。通過對碳點表面的電化學氧化,實現在不改變碳點的粒徑,而調節碳點發光紅移。通過該方法,已達到實現制備小粒徑、發長波長的熒光碳點。
本發明的方法,具體包括如下步驟:
①??????以碳纖維為工作電極,四丁基高氯酸銨的乙腈溶液作為電解液,對工作電極施加電勢進行電氧化;
②??????收集乙腈溶液,蒸發除去乙腈,在所得到固體中,加入超純水,超聲分散;
③??????將超聲分散所得的溶液,經過濾膜,將沉淀濾去,并將濾液用分子截留量為1,000的透析袋透析后即得到碳點的水溶液。
改變步驟1中施加于工作電極上的電勢,即可得到不同粒徑的碳點,即?0.5V下制備得到(3.3?±?0.6)?nm碳點,1.2V?下制備得到(2.9?±?0.5)?nm碳點,?1.5V下制備得到(2.7?±?0.7)?nm碳點,?2.0V下制備得到(2.4?±?0.6)?nm?碳點,?2.5V下制備得到?(2.2?±?0.6)?nm的碳點。另外,在恒定電勢情況下,制備得到的碳點的粒徑不受制備時間的影響:在制備電勢為0.5V,制備時間為30min?和300min得到碳點的粒徑均為(3.3?±?0.6)?nm;在制備電勢為2.5V,制備時間為30min和300?min得到碳點的粒徑均為(2.2?±?0.5)?nm。
通過以上步驟,一般可以得到光譜最佳發射峰為400~450nm的熒光碳點。通過調節制備時的氧化電勢,可以得到不同粒徑的熒光碳點,具有相應的最佳發射峰。為了實現對最佳發射峰的調控,尤其是得到最佳發射峰在450nm以上的熒光碳點,還包括以下步驟:
④??????將步驟(3)中制備得到的碳點,加入到新鮮制備的含四丁基高氯酸銨的乙腈溶液中,并在乙腈溶液中加入少量水增強氧化性,以鉑杯為工作電極,進一步氧化碳點,得到粒徑不變,光譜最佳發射峰紅移的熒光碳點。
例如:在2.5V制備得到的碳點,加入到新鮮準備的含0.1M四丁基高氯酸銨的乙腈溶液中并在乙腈溶液中加入少量水(5wt%)以鉑杯為工作電極,設定電勢為2.5V?恒電勢,進一步氧化碳點表面兩小時,得到粒徑不變,光譜最佳發射峰為500nm的綠色熒光碳點。
本發明利用電化學方法調控氧化電勢,實現了對碳點的粒徑及表面狀態的調控,該方法具有條件溫和,無須進一步分離即可得到單分散且粒徑均一的碳點等特點。本發明可更廣泛地應用于化學、生物和材料科學等領域。
?
附圖說明
圖?1在不同的氧化電勢下0.5V,1.5V及2.5V氧化電勢下制備得到碳點透射電鏡圖。
圖?2?在氧化電勢分別為0.5V,制備時間分別為30min和300min下得到碳點透射電鏡圖及粒徑分布情況。
圖3在氧化電勢分別為2.5V,制備時間分別為30min和300min下得到碳點透射電鏡圖及粒徑分布情況。
圖4?在氧化電勢為0.5V時,制備得到碳點C-dots0.5V的熒光光譜圖。其熒光發射光譜具有隨著激發光光譜的改變而改變的特征,其最佳熒光發射峰為400nm,對應的激發波長為320nm。
圖?5在氧化電勢為1.5V時,制備得到碳點C-dots1.5V的熒光光譜圖。其熒光發射光譜具有隨著激發光光譜的改變而改變的特征,其最佳熒光發射峰為430nm,對應的激發波長為340nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢大學,未經武漢大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110356592.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種多晶硅薄膜的制造方法
- 下一篇:含氨廢水回收利用裝置





