[發(fā)明專利]多層印刷電路板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110356364.X
• 申請日: 2011-11-11
• 公開（公告）號: CN103108485A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設計）人: 江民權;李濤
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;珠海方正科技多層電路板有限公司
• 主分類號: H05K1/00
• 分類號: H05K1/00;H05K3/46
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐

技術領域

本發(fā)明涉及印刷電路板(PCB)領域，具體而言，涉及一種多層PCB及其制作方法。

背景技術

當前的PCB通常為多層板。多層板是由三層以上的導電圖形層(通常為銅箔)與絕緣材料(即基材)層交替地經層壓粘合一起而形成的印制板，并達到設計要求規(guī)定的層間導電圖形互連。

所謂多層PCB的層壓技術，是指利用半固化片(由玻璃布浸漬環(huán)氧樹脂后，烘去溶劑制成的一種片狀材料。其中的樹脂處于B階段，在溫度和壓力作用下，具有流動性并能迅速地固化和完成粘結。)將導電圖形在高溫、高壓下粘合起來的技術。

將交給客戶單元(即PCB)陳列成便于工廠實際生產制作的尺寸，即得到拼板，又稱為工作板working?panel。

在多層PCB制作過程中，可能要求介電層厚度較大，而目前的半固化片的單張厚度通常常小于8.5mil，因此只能采用多張半固化片(PP片)進行疊合壓板，圖1示出了根據相關技術的PCB的層壓示意圖，其中的黑色實心方框L?1、L2、L3、L4、L5、L6為圖形層(即銅層)，層L1與層L2之間、層L3與層L4之間、以及層L5與層L6之間的斜線陰影方框為半固化片，層L4與層L5之間以及層L2與層L3之間的空心方框為光板(即蝕銅后的覆銅板)。注意觀察圖中橢圓圈標示的疊合結果，可以看出，為了滿足40.8mil的介電層厚度要求，需要采用5張半固化片進行壓合。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在壓合升溫流膠階段，半固化片容易相互滑動導致層間錯位，同時板中心與板邊樹脂流動不一致，板邊樹脂流失量較大，容易導致板厚度均勻性差等問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明旨在提供一種多層PCB及其制作方法，以解決上述的滑板問題。

在本發(fā)明的實施例中，提供了一種多層印刷電路板，包括層壓的多個圖形層以及用于間隔相鄰圖形層的介電層，至少一個介電層包括：兩個半固化片，分別與該介電層兩側的圖形層相鄰；一個光板，位于兩個半固化片之間。

在本發(fā)明的實施例中，提供了一種多層印刷電路板的制作方法，包括將多個圖形層以及介電層交錯放置，壓合以制成多層印刷電路板，至少一個介電層的制作包括：將兩個半固化片，分別設置為與該介電層兩側的圖形層相鄰；將一個光板，設置于兩個半固化片之間。

本發(fā)明上述實施例的多層PCB采用無銅光板壓合替代多張半固化片壓合，可有效解決多張半固化片在壓合過程中滑板的問題，提高了多層PCB的質量。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中：

圖1示出了根據相關技術的PCB的層壓示意圖；

圖2示出了根據本發(fā)明實施例的PCB的層壓示意圖。

具體實施方式

下面將參考附圖并結合實施例，來詳細說明本發(fā)明。

圖2示出了根據本發(fā)明實施例的PCB的層壓示意圖，包括層壓的多個圖形層以及用于間隔相鄰圖形層的介電層。如圖2所示，橢圓圈內的介電層包括：兩個半固化片，分別與該介電層兩側的圖形層相鄰；一個光板，位于兩個半固化片之間(即，在靠近圖形位置需保留一張半固化片，剩余的其他半固化片采用光板代替)。

目前行業(yè)內當介電層厚度較大時，為了滿足厚度要求，按照常規(guī)疊合方式，必須要采用≥3張半固化片。在壓合過程中，每張半固化片都會經歷融化流膠再固化的過程。在流膠階段，半固化片相互之間很容易滑動，導致層間圖形錯位，并且由于樹脂流膠量大，容易導致流膠不均，從而產生板厚不均勻的品質問題。本實施例的多層PCB采用無銅光板壓合替代多張半固化片壓合，光板由對應厚度的蝕銅后覆銅板制成(例如：需要0.63mm的光板，則選擇不含銅厚度為0.63mm的覆銅板，蝕刻銅就可制成)。由于光板是C-STAGE的樹脂，壓合過程中厚度不會發(fā)生變化，減少了疊層半固化片數量，減少了樹脂的流動，有效防止滑板；同時明顯減少了因樹脂流動太大，導致的板厚均勻性差的品質問題。本實施例提高了多層PCB的質量。

優(yōu)選地，該介電層的厚度大于24mil，如圖2的實施例所示，為40.8+2.9/-2.9mil，各半固化片的厚度均小于8.5mil。當介電層厚度大于24mil時，現(xiàn)有技術要求采用三片以上的半固化片進行壓合，在這種情況下，應用本發(fā)明實施例的方案是比較合適的。

優(yōu)選地，如圖2的實施例所示，半固化片的厚度為8.270mil。

優(yōu)選地，每個厚度大于24mil的介電層均包括層壓的兩個半固化片和一個光板。