[發(fā)明專(zhuān)利]積層薄膜電容的制造設(shè)備

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110355174.6
• 申請(qǐng)日: 2011-10-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103093975A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹劍;安榮寬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 尹劍
• 主分類(lèi)號(hào): H01G13/00
• 分類(lèi)號(hào): H01G13/00;H01G4/33
• 代理公司: 上海金盛協(xié)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31242
• 代理人: 段迎春

1.一種積層薄膜電容的制造設(shè)備，包括：

為晶片的出入，側(cè)面安裝了多個(gè)閘閥，具備通過(guò)上述閘閥傳送晶片的機(jī)械臂轉(zhuǎn)換室；

具備向上述轉(zhuǎn)換室供應(yīng)晶片的卡座，安裝的上述卡座可以上下移動(dòng)的裝載室；

從上述轉(zhuǎn)換室根據(jù)上述返回的機(jī)械臂接收晶片，在晶片上通過(guò)濺鍍方式蒸鍍內(nèi)部電極的濺鍍室；

從上述轉(zhuǎn)換室利用上述返回的機(jī)械臂接收晶片，在晶片上通過(guò)原子層蒸鍍方式將電層蒸鍍的原子層蒸鍍室；及

安裝在上述的轉(zhuǎn)換室、濺鍍室、原子層蒸鍍室，提供真空壓力的真空端口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的積層薄膜電容的制造設(shè)備，其特征在于：

上述轉(zhuǎn)換室的側(cè)面由6個(gè)面構(gòu)成，上述閘閥能夠各各安裝在上述6個(gè)表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的積層薄膜電容的制造設(shè)備，其特征在于：

上述返回機(jī)械臂由多個(gè)關(guān)節(jié)構(gòu)成，

上述多關(guān)節(jié)機(jī)械臂包括安裝在述轉(zhuǎn)換室中央可回轉(zhuǎn)的基臂；

安裝在上述基臂上可回轉(zhuǎn)的中心臂；及

安裝在上述中心臂上可回轉(zhuǎn)的傳送臂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的積層薄膜電容的制造設(shè)備，其特征在于：

從上述轉(zhuǎn)換室依據(jù)返回的機(jī)械臂接收晶片，更包括對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行退火操作的熱處理室。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的積層薄膜電容的制造設(shè)備，其特征在于：

上述濺鍍室內(nèi)部為形成金屬膜蒸鍍而安裝可上下移動(dòng)的卡座。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的積層薄膜電容的制造設(shè)備，其特征在于：

上述原子層蒸鍍室內(nèi)安裝可以上下移動(dòng)的加熱模塊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的積層薄膜電容的制造設(shè)備，其特征在于：

上述原子層蒸鍍室內(nèi)安裝與加熱模塊相連使加熱模塊上下移動(dòng)的加熱升降氣缸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的積層薄膜電容的制造設(shè)備，其特征在于：

上述原子層蒸鍍室包括：提供上述晶片進(jìn)入的空間的蒸鍍盒、安裝在上述蒸鍍盒內(nèi)部通過(guò)上述閘閥固定進(jìn)入晶片的晶片平臺(tái)板、安裝在上述蒸鍍盒上端密封蒸鍍盒的功能室門(mén)、及安裝在上述蒸鍍盒內(nèi)部向晶片平臺(tái)板上晶片供應(yīng)原子層蒸鍍氣體或凈化氣體的氣體噴頭。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的積層薄膜電容的制造設(shè)備，其特征在于：

上述氣體噴頭由上噴射嵌板和下噴射嵌板構(gòu)成，

上述的上噴射嵌板及下噴射嵌板中有噴射對(duì)應(yīng)晶片平臺(tái)板寬度的氣體的狹縫噴嘴，上述狹縫噴嘴的側(cè)面有與上述噴嘴隔離依據(jù)上述噴嘴的長(zhǎng)度方向供應(yīng)氣體的供應(yīng)線路，上述的狹縫噴嘴和氣體供應(yīng)線路間有多個(gè)連接線路，以此為特征的積層薄膜電容制造設(shè)備。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的積層薄膜電容的制造設(shè)備，其特征在于：

上述的上噴射嵌板及下噴射嵌板的氣體供應(yīng)線路終端形成與供應(yīng)氣體的氣體線路連接的供應(yīng)平臺(tái)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的積層薄膜電容的制造設(shè)備，其特征在于：

上述氣體供應(yīng)線路的設(shè)置以從供應(yīng)平臺(tái)向末端慢慢變窄。