[發(fā)明專利]陣列基板及制造方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110353778.7
• 申請(qǐng)日: 2011-11-09
• 公開（公告）號(hào): CN102655117A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫雙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示器)由于具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)而備受關(guān)注，在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位，被廣泛的應(yīng)用到各行各業(yè)中。一個(gè)液晶顯示器中的TFT陣列基板的制作是通過一組薄膜的沉積和光刻工藝形成圖案完成的。光刻用的掩模板數(shù)目是衡量制造TFT陣列基板工藝繁簡程度，一次光刻工藝使用一個(gè)掩模板，這樣減少一個(gè)掩模板就會(huì)降低制造成本。

為了有效的降低TFT陣列基板的制造成本，TFT陣列基板的制造工藝從開始的七次掩模工藝發(fā)展到采用灰度掩模板技術(shù)的四次掩模工藝。四次掩模工藝通常為，第一步是在基板上通過構(gòu)圖工藝形成柵線、柵極圖形；第二步是采用灰度掩模板，通過構(gòu)圖工藝在柵線、柵極上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線圖形；第三步，在源極、漏極上形成保護(hù)層、漏極與像素電極連接的過孔；第四步，在保護(hù)層上形成像素電極。這里的構(gòu)圖工藝是指薄膜沉積、掩模板曝光、顯影、刻蝕和光刻膠去除工序。

而在實(shí)現(xiàn)上述四次掩模工藝的過程中，TFT陣列基板的制造工藝仍較為復(fù)雜，掩模板數(shù)量多的缺陷，使得TFT陣列基板的制造成本較高，生產(chǎn)效率低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及制造方法、顯示裝置，能夠簡化制造工藝，降低TFT陣列基板的制造成本，提高生產(chǎn)效率。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一種陣列基板的制造方法，包括：

形成包括柵線、柵極、柵絕緣層和半導(dǎo)體有源層的圖形；

形成包括保護(hù)層和位于保護(hù)層的過孔的圖形；

形成包括像素電極、數(shù)據(jù)線、源極和漏極的圖形。

一種陣列基板，包括：

基板；

形成于基板上的柵極、柵線，依次形成于所述柵極上的柵絕緣層和半導(dǎo)體有源層；

在形成有柵極、柵線、柵絕緣層和半導(dǎo)體有源層的所述基板上形成的保護(hù)層和位于保護(hù)層的過孔；

形成于所述保護(hù)層上的像素電極、數(shù)據(jù)線、源極和漏極，源極和數(shù)據(jù)線連接，漏極和像素電極相連接，所述源極、漏極通過所述過孔與所述半導(dǎo)體有源層相連。

一種顯示裝置，包括上述陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及制造方法、顯示裝置，通過在基板上形成包括柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層的圖形；通過在形成有柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層的基板上，形成有包括保護(hù)層和位于保護(hù)層的過孔；通過在形成有所述保護(hù)層和位于保護(hù)層的過孔的基板上形成包括像素電極、數(shù)據(jù)線、源極、漏極，從而簡化了陣列基板的制造工藝，降低了制造成本，提高生產(chǎn)效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法流程示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法S201形成柵金屬薄膜層、柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體有源層薄膜后的沿圖1A-A向剖視圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法S201曝光顯影后的沿圖1A-A向剖視圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法S201形成柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層的沿圖1A-A向剖視圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法S202形成保護(hù)層薄膜、導(dǎo)電層薄膜后的沿圖1A-A向剖視圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法S202曝光顯影后的沿圖1A-A向剖視圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法S202形成保護(hù)層和過孔后的沿圖1A-A向剖視圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法S203形成數(shù)據(jù)金屬層薄膜后的沿圖1A-A向剖視圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法S203曝光顯影后的沿圖1A-A向剖視圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板制造方法S203形成像素電極、數(shù)據(jù)線、源極、漏極后的沿圖1A-A向剖視圖；