[發明專利]陣列基板及制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201110353778.7
• 申請日: 2011-11-09
• 公開（公告）號: CN102655117A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發明（設計）人: 孫雙
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

形成包括柵線、柵極、柵絕緣層和半導體有源層的圖形；

形成包括保護層和位于保護層的過孔的圖形；

形成包括像素電極、數據線、源極和漏極的圖形。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成包括柵線、柵極、柵絕緣層和半導體有源層的圖形包括：

在基板上依次形成柵金屬層薄膜、柵絕緣層薄膜、半導體有源層薄膜；

在所述半導體有源層薄膜上形成光刻膠；

利用半色調掩模板或灰度掩模板對光刻膠進行曝光、顯影后形成光刻膠完全保留區域、光刻膠半保留區域和光刻膠完全去除區域，所述光刻膠完全保留區域對應所述柵極上方，所述光刻膠半保留區域對應所述柵線上方，所述光刻膠完全去除區域對應光刻膠完全保留區域、光刻膠半保留區域以外的區域；

利用刻蝕工藝刻蝕掉所述光刻膠完全去除區域的所述半導體有源層薄膜、所述柵絕緣層薄膜、所述柵金屬層薄膜；利用灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區域的光刻膠；然后利用刻蝕工藝刻蝕掉所述光刻膠半保留區域的所述半導體有源層薄膜；最后去除掉所述光刻膠完全保留區域的光刻膠，形成包括柵極、柵線、柵絕緣層、半導體有源層的圖形。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述形成包括保護層和位于保護層的過孔的圖形包括：

在形成有所述柵線、柵極、柵絕緣層、半導體有源層的基板上，依次形成保護層薄膜、導電層薄膜；

在所述導電層薄膜上形成光刻膠；

對光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區域和光刻膠完全去除區域，所述光刻膠完全去除區域對應位于保護層的過孔區域，所述光刻膠完全保留區域對應光刻膠完全去除區域以外的區域；

利用刻蝕工藝刻蝕掉所述光刻膠完全去除區域的所述導電層薄膜和所述保護層薄膜；

去除所述光刻膠完全保留區域的光刻膠，形成包括保護層和位于保護層的過孔的圖形。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成包括像素電極、數據線、源極和漏極的圖形包括：

在形成有所述保護層和過孔的基板上形成數據金屬層薄膜；

在所述數據金屬層薄膜上形成光刻膠；

利用半色調掩模板或灰度掩模板對光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區域、光刻膠半保留區域、光刻膠完全去除區域，所述光刻膠完全保留區域對應所述源極、漏極、數據線，所述光刻膠半保留區域對應像素電極區域，所述光刻膠完全去除區域對應所述光刻膠完全保留區域、所述光刻膠半保留區域之外的區域；

利用刻蝕工藝刻蝕掉所述光刻膠完全去除區域的所述數據金屬層薄膜和所述導電層薄膜；

通過灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區域的光刻膠；

利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠半保留區域的所述數據金屬層薄膜；

去除所述光刻膠完全保留區域的光刻膠，形成包括像素電極、數據線、源極和漏極的圖形。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述去除光刻膠完全保留區域的光刻膠，形成包括保護層和過孔的圖形之前，還包括：

在所述基板上形成歐姆接觸層薄膜；

采用離地剝離工藝剝離所述光刻膠完全保留區域的光刻膠，形成歐姆接觸層。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

形成于基板上的柵極、柵線，依次形成于所述柵極上的柵絕緣層和半導體有源層；

在形成有柵極、柵線、柵絕緣層和半導體有源層的所述基板上形成的保護層和位于保護層的過孔；

形成于所述保護層上的像素電極、數據線、源極和漏極，源極和數據線連接，漏極和像素電極相連接，所述源極、漏極通過所述過孔與所述半導體有源層相連。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述位于保護層的過孔下方的半導體有源層上形成有歐姆接觸層。

8.根據權利要求6或7所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極位于過孔以外的區域位于像素電極上方并于像素電極搭接。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述源極位于過孔以外的區域保留有像素電極材料。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求6～9任一項所述的陣列基板。